| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-28页 |
| ·N 面GaN 基材料的基本特性 | 第10-14页 |
| ·原子排列结构 | 第12页 |
| ·极化效应 | 第12-13页 |
| ·杂质原子结合 | 第13页 |
| ·欧姆接触 | 第13-14页 |
| ·N 面GaN 基材料的制备及应用 | 第14-15页 |
| ·N 面GaN 基材料的制备 | 第14页 |
| ·N 面GaN 基材料的应用 | 第14-15页 |
| ·N 面GaN 基材料的发展与瓶颈及展望 | 第15-19页 |
| ·N 面GaN 基材料的发展 | 第16-17页 |
| ·N 面GaN 基材料的瓶颈 | 第17-18页 |
| ·N 面GaN 基材料的展望 | 第18-19页 |
| ·N 面GaN/AlGaN 异质结特性 | 第19-25页 |
| ·N 面GaN/AlGaN 异质结[14] | 第19-23页 |
| ·N 面GaN 基HEMT | 第23-25页 |
| ·本文研究的意义和主要研究内容 | 第25-28页 |
| 第二章 MOCVD 生长N 面GaN 基材料的研究 | 第28-56页 |
| ·MOCVD 制备N 面GaN 初期关键工艺 | 第28-33页 |
| ·衬底对N 面GaN 生长的影响 | 第28-32页 |
| ·氮化对N 面GaN 生长的影响 | 第32-33页 |
| ·成核层工艺参数对N 面GaN 特性的影响 | 第33-42页 |
| ·组分对N 面GaN 特性的影响 | 第34-36页 |
| ·温度对N 面GaN 特性的影响 | 第36-42页 |
| ·外延层工艺参数对N 面GaN 特性的影响 | 第42-50页 |
| ·生长温度对N 面GaN 特性的影响 | 第43-45页 |
| ·生长厚度对N 面GaN 特性的影响 | 第45-47页 |
| ·生长Ⅴ/Ⅲ对N 面GaN 特性的影响 | 第47-50页 |
| ·N 面GaN 基材料极性的判定[57] | 第50-56页 |
| 第三章 N 面GaN 基材料相关特性的研究 | 第56-74页 |
| ·N 面GaN 基材料位错缺陷的研究 | 第56-60页 |
| ·N 面GaN 基材料位错的研究 | 第56-59页 |
| ·N 面GaN 基材料缺陷的研究 | 第59-60页 |
| ·杂质对N 面GaN 基材料特性的影响 | 第60-64页 |
| ·In，Si，Mg 故意掺杂 | 第60-63页 |
| ·O，C，H 非故意掺杂 | 第63-64页 |
| ·N 面GaN 基材料面内应力的研究 | 第64-68页 |
| ·N 面GaN 与Ga 面GaN 外延薄膜面内应力的差异 | 第65-66页 |
| ·N 面GaN 面内应力自调节效应 | 第66-68页 |
| ·N 面GaN 基材料黄带成因的研究 | 第68-74页 |
| 第四章 结束语 | 第74-78页 |
| ·总结 | 第74-76页 |
| ·展望 | 第76-78页 |
| 致谢 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-90页 |
| 攻读硕士期间的研究成果 | 第90-91页 |