| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·GaN材料的优点 | 第10-11页 |
| ·课题背景及研究意义 | 第11-12页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT功率器件的国内外研究现状 | 第12-13页 |
| ·本课题的主要工作及内容安排 | 第13-16页 |
| 第二章 微波测量技术与微波功率特性 | 第16-30页 |
| ·微波S参数测量系统 | 第16-17页 |
| ·微波功率测量技术 | 第17-26页 |
| ·二端口网络的功率技术指标 | 第17-23页 |
| ·频谱分析仪简介 | 第23-25页 |
| ·功率测量技术 | 第25-26页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT器件的测试结果 | 第26-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMT的模型分析与建立 | 第30-60页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT器件基本理论和制造工艺 | 第30-31页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT基本工作原理 | 第30页 |
| ·器件的制造工艺 | 第30-31页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT小信号等效电路模型及参数提取 | 第31-39页 |
| ·小信号等效电路模型的建立 | 第31-33页 |
| ·参数提取 | 第33-37页 |
| ·结果分析与比较 | 第37-39页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT大信号等效电路模型及参数提取 | 第39-59页 |
| ·经典大信号非线性模型分析 | 第40-44页 |
| ·改进的大信号非线性模型的建立及参数提取 | 第44-52页 |
| ·结果分析及验证 | 第52-54页 |
| ·栅宽100μm器件的微波功率特性 | 第54-56页 |
| ·栅宽1mm器件的微波功率特性 | 第56-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第四章 功率放大器的设计与仿真 | 第60-76页 |
| ·AB类功率放大器的设计与仿真 | 第60-68页 |
| ·直流分析 | 第60-61页 |
| ·稳定性分析与偏置电路 | 第61-63页 |
| ·Load-Pull和匹配网络设计 | 第63-67页 |
| ·整体仿真 | 第67-68页 |
| ·E类功率放大器的研究 | 第68-74页 |
| ·E类功率放大器的种类 | 第68-71页 |
| ·GaN HEMT的E类功率放大器设计 | 第71-74页 |
| ·本章小结 | 第74-76页 |
| 第五章 总结 | 第76-78页 |
| ·总结 | 第76页 |
| ·未来的工作 | 第76-78页 |
| 致谢 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-85页 |
| 研究成果 | 第85-86页 |
