| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 引言 | 第5-11页 |
| 第一节 测试流片 | 第5-6页 |
| 第二节 测试结构 | 第6-10页 |
| 第三节 器件失效判别的现状和其准确性的意义 | 第10-11页 |
| 第二章 器件漏电失效的现有判别方法、局限及32nm的错误判别 | 第11-16页 |
| 第一节 器件漏电失效的现有判别方法 | 第11页 |
| 第二节 现有器件失效的判别的局限性 | 第11-13页 |
| 第三节 32nm器件漏电失效的不正确判别及其原因 | 第13-16页 |
| 第三章 32nm器件漏电失效判别准确性的分析验证 | 第16-25页 |
| 第一节 32nm器件漏电失效判别准确性分析的前提 | 第16-17页 |
| 第二节 32nm器件漏电失效判别准确性的分析验证 | 第17-19页 |
| 第三节 器件漏电失效判别准确性的分析验证方法推广 | 第19-25页 |
| 第四章 32nm器件漏电失效准确判别方案的实验分析和解决 | 第25-45页 |
| 第一节 统一的设置 | 第25-27页 |
| 第二节 模块级别的设置 | 第27-30页 |
| 第三节 设计参数级别的设置 | 第30-34页 |
| 第四节 设计参数级别的设置的具体数值选择 | 第34-37页 |
| 第五节 设计参数级别的设置及具体数值选择的理论分析和数学推导 | 第37-43页 |
| 第六节 本章小结 | 第43-45页 |
| 第五章 结论和展望 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
