摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-7页 |
第一章 绪论 | 第7-14页 |
·论文的背景 | 第7-13页 |
·三维立体封装技术的发展 | 第7-8页 |
·半导体功率器件的面对的挑战 | 第8-10页 |
·石墨烯层在半导体功率器件中的应用现状 | 第10-11页 |
·含石墨烯层的半导体功率器件的电-热-力分析现状与研究意义 | 第11-13页 |
·论文主要工作 | 第13-14页 |
第二章 基于混合非线性有限元方法的电-热-力分析的方法 | 第14-38页 |
·电-热-力分析的原理 | 第14-19页 |
·电-热-力分析的概述 | 第14页 |
·电-热-力分析的基本物理方程 | 第14-17页 |
·电场、热场及应力场耦合关系 | 第17-19页 |
·混合非线性有限元方法的原理 | 第19-25页 |
·有限元方法的概述 | 第19-20页 |
·有限元方法的数学基础 | 第20-24页 |
·传统有限元方法的改进 | 第24页 |
·混合非线性有限元法的概述 | 第24-25页 |
·混合非线性有限元法的实现过程 | 第25-34页 |
·电-热-力分析的前处理 | 第25-29页 |
·电-热-力分析中方程组的空间和时间离散 | 第29-33页 |
·矩阵方程求解 | 第33-34页 |
·电-热-力分析程序的设计与验证 | 第34-37页 |
·电-热-力分析程序的设计 | 第34-35页 |
·电-热-力分析程序的验证 | 第35-37页 |
·本章小结 | 第37-38页 |
第三章 含石墨烯层的半导体功率器件的稳态电-热-力分析 | 第38-59页 |
·AlGaN /GaN 多栅指HEMT 模型介绍 | 第38-42页 |
·AlGaN /GaN 多栅指HEMT 热场稳态分析 | 第42-54页 |
·加入石墨烯层的稳态热分析 | 第44-49页 |
·改变仿真条件对热效应的影响 | 第49-54页 |
·AlGaN /GaN 多栅指HEMT 热应力的稳态分析 | 第54-58页 |
·本章小结 | 第58-59页 |
第四章 含石墨烯层的半导体功率器件的瞬态电-热-力分析 | 第59-69页 |
·周期梯形电压脉冲作用下的瞬态电-热-力分析 | 第60-64页 |
·人体静电脉冲作用下的瞬态电-热-力分析 | 第64-66页 |
·电磁脉冲作用下的瞬态电-热-力分析 | 第66-67页 |
·本章小结 | 第67-69页 |
第五章 含石墨烯层的半导体功率器件的热阻分析 | 第69-76页 |
·含石墨烯层的半导体功率器件的热阻模型 | 第69-71页 |
·含石墨烯层的半导体功率器件的热阻仿真分析 | 第71-74页 |
·半导体功率器件的热阻分析 | 第71-72页 |
·加入石墨层的热阻分析 | 第72-74页 |
·本章小结 | 第74-76页 |
第六章 总结与展望 | 第76-79页 |
·研究总结 | 第76-77页 |
·本论文的主要结论 | 第76页 |
·本论文的主要创新点 | 第76-77页 |
·研究展望 | 第77-79页 |
参考文献 | 第79-85页 |
致谢 | 第85-86页 |
攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第86-89页 |
附件 | 第89页 |