| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·LED 发光二极管的优势 | 第7-8页 |
| ·LED 的发展历程及国内外研究比较 | 第8-10页 |
| ·本文研究的目的与意义 | 第10-11页 |
| 第二章 GaN 的有关性质与材料的外延生长 | 第11-21页 |
| ·GaN 材料的基本性质 | 第11-12页 |
| ·GaN 的晶体结构 | 第11页 |
| ·GaN 的化学性质 | 第11-12页 |
| ·GaN 的电学性质 | 第12页 |
| ·GaN 的光学性质 | 第12页 |
| ·GaN 材料的生长 | 第12-21页 |
| ·衬底的选择 | 第12-14页 |
| ·外延方法的选择 | 第14-17页 |
| ·GaN 基LED 关键材料的外延生长 | 第17-19页 |
| ·GaN 基LED 外延生长小结 | 第19-21页 |
| 第三章 LED 基本特性简介 | 第21-25页 |
| ·LED 发光的基本原理 | 第21-22页 |
| ·LED 的主要特性 | 第22-25页 |
| ·LED 的伏安（V-I）特性 | 第22-23页 |
| ·LED 的光谱特性 | 第23-24页 |
| ·LED 的热特性 | 第24-25页 |
| 第四章 LED 发光效率的影响因素及提高措施 | 第25-35页 |
| ·影响LED 发光效率的主要因素 | 第25-26页 |
| ·提高发光效率的各种有效手段 | 第26-35页 |
| ·内量子效率提高的措施 | 第27-29页 |
| ·外量子效率提高的措施 | 第29-35页 |
| 第五章 GaN 基LED 的多量子阱垒层掺In 研究 | 第35-51页 |
| ·多量子阱垒掺In 实验部分 | 第35-38页 |
| ·实验准备 | 第35-36页 |
| ·实验样品制备 | 第36-37页 |
| ·实验测试手段 | 第37-38页 |
| ·多量子阱垒层掺In 实验数据与讨论. | 第38-48页 |
| ·部分阱的垒层掺In 与全部阱的垒层掺In 对比 | 第38-44页 |
| ·全部阱的垒层掺In 变In 流量对比实验 | 第44-48页 |
| ·垒层掺In 实验结果总结与讨论 | 第48-51页 |
| ·多量子阱垒层掺In 能带变化 | 第48-50页 |
| ·实验结果总结 | 第50-51页 |
| 第六章 总结与展望 | 第51-53页 |
| ·论文成果总结 | 第51页 |
| ·工作展望 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-61页 |
| 作者攻读硕士研究生期间参加的科研项目 | 第61-62页 |