| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 前言 | 第6-8页 |
| 第二章 SOI技术优势以及SOI硅片制造技术简介 | 第8-18页 |
| ·SOI技术优势 | 第8-9页 |
| ·SOI硅片的制造技术 | 第9-18页 |
| ·SIMOX硅片制造技术 | 第9-11页 |
| ·硅片键合技术 | 第11-13页 |
| ·智能剥离技术(Smart-cut) | 第13-14页 |
| ·SIMBOND制造技术 | 第14-18页 |
| 第三章 离子注入原理与IBIS注入机简介及SIMOX和SIMBOND工艺中离子注入机的工艺控制 | 第18-43页 |
| ·离子注入原理 | 第18-19页 |
| ·离子注入机及IBIS离子注入机介绍 | 第19-37页 |
| ·离子注入机发展史 | 第19-20页 |
| ·离子注入机种类及IBIS2000注入机结构简介 | 第20-37页 |
| ·IBIS注入机在SIMOX与SIMBOND工艺中的应用以及目前注入机的工艺控制方法 | 第37-42页 |
| ·IBIS注入机在SIMOX工艺中的应用 | 第37-39页 |
| ·IBIS注入机在SIMBOND工艺中的应用 | 第39-40页 |
| ·SIMOX与SIMBOND工艺中的离子注入工艺控制方法 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 SIMOX工艺中离子注入造成的缺陷表征 | 第43-48页 |
| ·缺陷表征技术 | 第43-45页 |
| ·离子注入的缺陷情况 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 离子注入缺陷的控制 | 第48-59页 |
| ·引言 | 第48页 |
| ·实验方法 | 第48-51页 |
| ·CuSO_4电镀法 | 第48-50页 |
| ·SECCO腐蚀法 | 第50-51页 |
| ·实验分组结果与分析 | 第51-58页 |
| ·样品针孔密度与剂量和能量的关系 | 第51-54页 |
| ·样品针孔密度与离子注入机温度设置和束流设置的关系 | 第54-57页 |
| ·SIMOX缺陷在注入机控制上的改进措施 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第六章 总结 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
