| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| ·研究意义 | 第10页 |
| ·国内外研究现状 | 第10-12页 |
| ·论文主要工作 | 第12-14页 |
| 第二章 硅基应变材料的物理性质 | 第14-20页 |
| ·应变Si 和应变SiGe 的形成 | 第14页 |
| ·硅基应变材料的能带结构 | 第14-15页 |
| ·硅基应变材料的迁移率提升 | 第15-16页 |
| ·硅基应变材料的临界厚度 | 第16-20页 |
| ·热力学平衡的理论计算 | 第16-18页 |
| ·力学平衡的理论计算 | 第18-20页 |
| 第三章 硅基应变与弛豫材料的缺陷行为与位错密度模型研究 | 第20-46页 |
| ·硅基应变与弛豫材料的缺陷类型及形成 | 第20-22页 |
| ·点缺陷 | 第20-21页 |
| ·线缺陷 | 第21页 |
| ·面缺陷 | 第21-22页 |
| ·体缺陷 | 第22页 |
| ·硅基应变与弛豫材料中的位错（Dislocation） | 第22-31页 |
| ·硅基应变与弛豫材料中位错（Dislocation）的基本类型 | 第22-25页 |
| ·硅基应变与弛豫材料中位错的结构特征 | 第25-28页 |
| ·硅基应变与弛豫材料中的位错环 | 第28-30页 |
| ·硅基应变与弛豫材料中常见位错 | 第30-31页 |
| ·硅基应变与弛豫材料缺陷行为研究 | 第31-41页 |
| ·位错的运动 | 第31-36页 |
| ·位错的交互作用 | 第36-37页 |
| ·硅基应变与弛豫材料中位错成核（nucleation）机制 | 第37-38页 |
| ·硅基应变与弛豫材料中位错的增殖机理 | 第38-40页 |
| ·硅基应变与弛豫材料中失配位错的产生 | 第40-41页 |
| ·硅基应变与弛豫材料的位错密度模型 | 第41-46页 |
| ·湮没/合并模型 | 第42页 |
| ·半-环模型 | 第42页 |
| ·应变-释放模型 | 第42页 |
| ·滑移模型 | 第42-46页 |
| 第四章 硅基应变与弛豫材料的缺陷控制方法研究 | 第46-62页 |
| ·硅基应变材料的生长技术 | 第46-47页 |
| ·分子束外延（MBE） | 第46页 |
| ·超高真空化学气相淀积（UHV/CVD） | 第46-47页 |
| ·常压化学气相沉积（APCVD） | 第47页 |
| ·减压化学气相淀积（RPCVD） | 第47页 |
| ·直接生长固定组分SiGe | 第47-48页 |
| ·Ge 组分梯度渐变缓冲层技术 | 第48-50页 |
| ·衬底中位错的出现 | 第49-50页 |
| ·顶层薄膜位错消失 | 第50页 |
| ·低温缓冲层技术 | 第50-53页 |
| ·低温Si 技术 | 第51-53页 |
| ·低温SiGe 技术 | 第53页 |
| ·离子注入技术 | 第53-57页 |
| ·轻离子注入 | 第54-56页 |
| ·重离子注入 | 第56-57页 |
| ·其他技术 | 第57-58页 |
| ·低温SiGe 层结合离子注入技术研究 | 第58-59页 |
| ·低温SiGe 层结合直接离子注入的结构与工艺设计 | 第58-59页 |
| ·低温SiGe 层结合间接离子注入的结构与工艺设计 | 第59页 |
| ·后离子注入的结构与工艺设计 | 第59-62页 |
| 第五章 结论 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 攻读硕士研究生期间的研究成果 | 第70-71页 |
