| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| ·引言 | 第8-10页 |
| ·硅化物工艺 | 第10-14页 |
| ·Si(110)衬底的性质与应用 | 第14-16页 |
| ·论文内容安排 | 第16-18页 |
| 第二章 Ni/Si(110)的固相反应特性及肖特基结电学特性研究 | 第18-35页 |
| ·引言 | 第18页 |
| ·样品清洗及制备工艺 | 第18-20页 |
| ·清洗方式 | 第18-19页 |
| ·金属薄膜淀积 | 第19-20页 |
| ·Ni/Si(100)及Ni/Si(110)样品的反应特性 | 第20-31页 |
| ·薄层电阻与退火温度的关系 | 第20页 |
| ·生成硅化物的物相分析 | 第20-24页 |
| ·硅化物的晶粒大小 | 第24-27页 |
| ·硅化物的生长织构 | 第27-31页 |
| ·肖特基结电学特性 | 第31-33页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·图形样品的制备 | 第31-32页 |
| ·电流特性 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-35页 |
| 第三章 超薄Ni在Si(110)衬底上的固相反应特性研究 | 第35-45页 |
| ·引言 | 第35页 |
| ·超薄Ni与硅衬底的固相反应分析 | 第35-41页 |
| ·5nm Ni膜样品和10nm Ni膜样品的硅化反应区别 | 第41-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 Sb中间层对Ni/Si固相反应的影响 | 第45-60页 |
| ·引言 | 第45-46页 |
| ·掺Sb样品的制备 | 第46-47页 |
| ·样品的固相反应分析 | 第47-48页 |
| ·掺Sb肖特基结的电学特性 | 第48-59页 |
| ·NiSi/n~+-Si/Si结构的电学特性 | 第48-51页 |
| ·SBH调节机制与器件模拟 | 第51-56页 |
| ·增强SBH调节效果的研究 | 第56-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 硕士期间发表论文 | 第67-68页 |
