| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 引言 | 第5-22页 |
| 第一节 光刻基本原理和光刻技术的发展 | 第5-14页 |
| 第二节 光刻技术的发展 | 第14-18页 |
| 第三节 本文研究的主要内容和方向 | 第18-22页 |
| 第二章 工作区图层SRAM的机台对准的匹配问题 | 第22-30页 |
| 第一节 对准方法和对准补偿模型的介绍 | 第22-25页 |
| 第二节 0.16um SRAM ACT layer补偿模型量的差异及原因 | 第25-27页 |
| 第三节 Scanner机台解决对准匹配的方法 | 第27-30页 |
| 第三章 0.16um SRAM线宽工艺中断线连桥缺陷优化 | 第30-41页 |
| 第一节 SRAM断线连桥缺陷介绍 | 第30-32页 |
| 第二节 SRAM区域断线连桥缺陷分析 | 第32-36页 |
| 第三节 对于0.16umSRAM逻辑电路晶圆生产中的优化控制 | 第36-41页 |
| 第四章 0.16umSRAM逻辑电路光刻胶卫星缺陷问题的解决方法 | 第41-49页 |
| 第一节 关于卫星缺陷的介绍 | 第41-42页 |
| 第二节 导致卫星缺陷的原因分析 | 第42-43页 |
| 第三节 解决卫星缺陷的方案 | 第43-49页 |
| 结论 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 后记 | 第53-54页 |