| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 引言 | 第5-7页 |
| 第一章 蚀刻的原理介绍 | 第7-20页 |
| 第一节 集成电路(IC)的制造流程简介 | 第7页 |
| 第二节 蚀刻技术 | 第7-20页 |
| 第二章 Damascene制程原理与介绍 | 第20-30页 |
| 第一节 铜制程概述 | 第20-23页 |
| 第二节 Damascene大马士革工艺制程原理 | 第23-30页 |
| 第三章 90nm在蚀刻中铜扩散的机理与改善 | 第30-35页 |
| 第一节 铜扩散引起的可靠性问题 | 第30-31页 |
| 第二节 几种扩散现象及其形成机理的讨论 | 第31-34页 |
| 第三节 实验目的与改善 | 第34-35页 |
| 第四章 蚀刻中铜扩散具体改进方案 | 第35-52页 |
| 第一节 对于去胶步骤程式的改进实验 | 第35-39页 |
| 第二节 对于Via的改进实验 | 第39-47页 |
| 第三节 对于阻挡层去除(LRM)程式的改进实验 | 第47-51页 |
| 第四节 实验小结 | 第51-52页 |
| 第五章 总结 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 附录:大马士革工艺制程概述 | 第56-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |