| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-12页 |
| ·纳米材料 | 第9页 |
| ·纳晶硅镶嵌二氧化硅 | 第9-10页 |
| ·本文研究内容和结构安排 | 第10-12页 |
| 第二章 纳晶硅镶嵌二氧化硅的制备和表征 | 第12-20页 |
| ·脉冲激光烧蚀和脉冲激光沉积 | 第12-15页 |
| ·脉冲激光烧蚀 | 第12-13页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第13-15页 |
| ·纳晶硅镶嵌二氧化硅的制备 | 第15-17页 |
| ·无定形氧化硅薄膜的沉积 | 第15-16页 |
| ·纳晶硅镶嵌二氧化硅的形成 | 第16-17页 |
| ·纳晶硅镶嵌二氧化硅的结构表征和特性测量 | 第17-20页 |
| ·纳晶硅镶嵌二氧化硅的结构表征 | 第17-18页 |
| ·纳晶硅镶嵌二氧化硅的特性测量 | 第18-20页 |
| 第三章 纳晶硅镶嵌二氧化硅的结构和性质 | 第20-36页 |
| ·纳晶硅镶嵌二氧化硅的结构 | 第20-23页 |
| ·傅里叶变换红外光谱分析 | 第20-21页 |
| ·喇曼散射光谱分析 | 第21-23页 |
| ·纳晶硅镶嵌二氧化硅的光学性质 | 第23-26页 |
| ·折射率和消光系数 | 第23-24页 |
| ·光透射和光吸收 | 第24-26页 |
| ·纳晶硅镶嵌二氧化硅的光发射和光激发 | 第26-31页 |
| ·光发射特性 | 第26-29页 |
| ·光激发特性 | 第29-31页 |
| ·部分制备条件对纳晶硅镶嵌二氧化硅结构和性质的影响 | 第31-35页 |
| ·无定形氧化硅薄膜沉积时氧气气压的影响 | 第31-33页 |
| ·相分离时退火温度的影响 | 第33-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 无定形氧化硅中的相分离和纳晶硅的形成 | 第36-52页 |
| ·退火温度对纳晶硅镶嵌二氧化硅结构和性质的影响 | 第36-44页 |
| ·傅里叶变换红外光谱分析 | 第36-39页 |
| ·喇曼散射光谱分析 | 第39-40页 |
| ·光发射特性 | 第40-43页 |
| ·光激发特性 | 第43-44页 |
| ·退火时间对纳晶硅镶嵌二氧化结构和性质的影响 | 第44-49页 |
| ·退火时间对结构的影响 | 第44-46页 |
| ·退火时间对光发射和光激发的影响 | 第46-49页 |
| ·无定形氧化硅的相分离和纳晶硅的形成 | 第49-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 总结和展望 | 第52-55页 |
| ·本文总结 | 第52-53页 |
| ·工作展望和建议 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-61页 |
| 后记 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |