| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·研究的意义 | 第7-8页 |
| ·硅基应变材料生长动力学的研究现状 | 第8-10页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第10-11页 |
| 第二章 硅基应变锗硅材料的生长机理和生长方法 | 第11-21页 |
| ·锗硅（SiGe）材料的特性 | 第11-14页 |
| ·SiGe/Si 异质结材料的生长机理 | 第14-16页 |
| ·H_2 在生长表面的吸附与脱附机理 | 第15页 |
| ·SiH_4 与GeH_4的反应分解机理 | 第15-16页 |
| ·SiH_2Cl_2 的分解反应机理 | 第16页 |
| ·锗硅材料的生长方法 | 第16-20页 |
| ·减压化学气相淀积（RPCVD） | 第17-18页 |
| ·超高真空化学气相淀积（UHVCVD | 第18-19页 |
| ·常压化学气相淀积(APCVD) | 第19页 |
| ·低压化学气相淀积（LPCVD） | 第19-20页 |
| ·本章小结 | 第20-21页 |
| 第三章 SiGe/Si 异质结材料的生长动力学研究 | 第21-33页 |
| ·生长速率模型 | 第21-27页 |
| ·SiGe/Si 异质结材料的生长动力学过程 | 第21-22页 |
| ·表面生长动力模型 | 第22-24页 |
| ·基于流体力学的气相传输动力学模型 | 第24-27页 |
| ·SiGe/Si 异质结材料的RPCVD 的动力学影响因素 | 第27-32页 |
| ·反应混合物的流量 | 第27页 |
| ·淀积温度 | 第27-28页 |
| ·压强的影响 | 第28-30页 |
| ·衬底材料晶向 | 第30-31页 |
| ·扩散 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 硅基应变材料RPCVD 生长动力学模型研究 | 第33-49页 |
| ·菲克第一定律 | 第33-35页 |
| ·边界层理论 | 第35-37页 |
| ·Grove 理论 | 第37-41页 |
| ·硅基应变材料生长动力学模型的建立 | 第41-44页 |
| ·扩散流密度 | 第41页 |
| ·反应流密度 | 第41-42页 |
| ·生长速率模型的建立 | 第42-44页 |
| ·各参数的确定 | 第44-47页 |
| ·扩散系数D | 第44页 |
| ·气相输运系数h_g | 第44-45页 |
| ·反应活化能和表面反应速率常数 | 第45-46页 |
| ·C_T和Y | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第五章 硅基应变材料RPCVD 实验及模型验证 | 第49-57页 |
| ·RPCVD 实验 | 第49-50页 |
| ·实验结果的验证 | 第50-54页 |
| ·生长速率的计算 | 第50-51页 |
| ·模型验证与分析 | 第51-52页 |
| ·淀积速率与温度的关系 | 第52-54页 |
| ·与表面模型对比分析 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第六章 结论与分析 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 攻读硕士研究生期间的研究成果 | 第63-64页 |
