| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-12页 |
| 第一章 WCVD 工艺 | 第12-21页 |
| ·CVD 工艺简介 | 第12-16页 |
| ·工艺原理 | 第12-14页 |
| ·填洞能力与阶梯覆盖率 | 第14-15页 |
| ·质量传输与动态传输 | 第15-16页 |
| ·WCVD 接触孔、通孔概述 | 第16-21页 |
| ·相关工艺介绍 | 第16-19页 |
| ·接触孔、通孔的作用 | 第19-21页 |
| 第二章 WCVD 现状分析与课题研究目标 | 第21-28页 |
| ·WCVD 填洞能力现状分析 | 第21-23页 |
| ·PNL-WCVD 工艺的主要缺陷 | 第23-24页 |
| ·课题研究目标和方向 | 第24-25页 |
| ·主要实验工具 | 第25-28页 |
| 第三章 PNL WCVD 与传统WCVD 的比较实验 | 第28-37页 |
| ·PNL WCVD 与传统WCVD 的机台构造及原理比较 | 第28-33页 |
| ·Novellus 与AMAT W 机台的差异 | 第28-29页 |
| ·PNL WCVD 比传统Novellus WCVD 在机台硬件上的改进 | 第29-31页 |
| ·PNL WCVD 比传统Novellus WCVD 在制程上的改进 | 第31-33页 |
| ·实验方案设计 | 第33页 |
| ·比较PNL WCVD 与传统W CVD 淀积薄膜特性的实验 | 第33-35页 |
| ·PNL-WCVD 与传统WCVD Nucleation 电阻及其Uniformity | 第33-34页 |
| ·PNL WCVD 与传统WCVD 的厚度稳定性、厚度反射率及其应力 | 第34-35页 |
| ·0.13μm logic 产品PNL WCVD 与传统Novellus WCVD gap fill 比较实验 | 第35-37页 |
| 第四章 PNL-WCVD 填洞能力改善实验 | 第37-53页 |
| ·实验方案设计 | 第37-38页 |
| ·降低PNL Bulk Deposition 的4 加热器温度 | 第38-42页 |
| ·实验方法 | 第38页 |
| ·实验原理与结果分析 | 第38-42页 |
| ·增加PNL Cycle 次数实验 | 第42-45页 |
| ·实验方法 | 第42页 |
| ·实验原理与结果分析 | 第42-45页 |
| ·增加Bulk 淀积WF6 流量实验 | 第45-48页 |
| ·实验方法 | 第45页 |
| ·实验原理与结果分析 | 第45-48页 |
| ·增加Soak B2H6 流量实验 | 第48-53页 |
| ·实验方法 | 第48-49页 |
| ·实验原理与结果分析 | 第49-51页 |
| ·实验结果在产品上的良率验证 | 第51-53页 |
| 第五章 结论与展望 | 第53-56页 |
| ·本论文的总结 | 第53页 |
| ·论文的创新点 | 第53-54页 |
| ·未来工作展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第59-60页 |
| 附件 | 第60页 |
