| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 引言 | 第6-7页 |
| 第一章 刻蚀工艺介绍 | 第7-22页 |
| ·刻蚀工艺简介 | 第7-10页 |
| ·干法刻蚀 | 第8-9页 |
| ·湿法刻蚀 | 第9-10页 |
| ·等离子体基本理论 | 第10-17页 |
| ·等离子体的产生 | 第10-12页 |
| ·等离子体鞘层和电势差的形成 | 第12-15页 |
| ·等离子体系统的分类 | 第15-17页 |
| ·电介质反应离子刻蚀 | 第17-21页 |
| ·等离子体反应离子刻蚀 | 第17-18页 |
| ·电介质反应离子刻蚀 | 第18-21页 |
| ·小结 | 第21-22页 |
| 第二章 电介质自对准接触通孔刻蚀工艺简介 | 第22-33页 |
| ·何为电介质自对准接触通孔 | 第22-23页 |
| ·实验使用等离子刻蚀设备介绍 | 第23-28页 |
| ·实验量测工具 | 第28-32页 |
| ·光学发射光谱(OES) | 第28-30页 |
| ·薄膜测量椭偏仪(SE) | 第30-32页 |
| ·小结 | 第32-33页 |
| 第三章 电介质自对准接触通孔硬掩模工艺 | 第33-38页 |
| ·何为电介质自对准接触通孔硬掩模 | 第33页 |
| ·SAC Hardmask_ET对自对准孔尺寸的控制 | 第33-36页 |
| ·SAC Hardmask_ET对自对准孔尺寸的控制的方案 | 第33-34页 |
| ·通过调整SAC Hardmask_ET的时间来控制自对准孔尺寸 | 第34页 |
| ·通过调整射频功率大小来控制自对准孔尺寸 | 第34-35页 |
| ·通过调整反应腔静电吸附盘的温度来控制自对准孔尺寸 | 第35页 |
| ·通过调整反应腔压力来控制自对准孔尺寸 | 第35-36页 |
| ·通过调整CF_4/CHF_3气体配比率来控制自对准孔尺寸 | 第36页 |
| ·SAC Hardmask_ET各种工艺参数对自对准孔尺寸的效应分析及运用 | 第36-37页 |
| ·小结 | 第37-38页 |
| 第四章 电介质自对准接触通孔刻蚀工艺 | 第38-51页 |
| ·何为电介质自对准硬掩模接触通孔 | 第38-40页 |
| ·SAC_ET Polymer的研究 | 第40-46页 |
| ·SAC_ET工艺产生的Polymer的监测方法 | 第40-41页 |
| ·SAC_ET工艺产生的Polymer的特性和控制方法 | 第41-45页 |
| ·小结 | 第45-46页 |
| ·SAC_ET各种工艺参数对晶圆良率的影响 | 第46-51页 |
| ·SAC工艺参数调整来控制晶圆电性和良率的方案 | 第46-49页 |
| ·SAC各种工艺参数对晶圆电性和良率的效应分析和运用 | 第49-50页 |
| ·小结 | 第50-51页 |
| 第五章 总结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
