当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
一般性问题
InAs/Ga(In)Sb超晶格长/远波段红外探测器研究
双受主施主掺杂ZnO薄膜的组织结构与性能
硅基InN单晶薄膜的RF-MBE生长及其特性研究
有机半导体材料迁移率测试系统的搭建及应用
GaAs基高密度InAs量子点材料制备与表征
磁控溅射制备NiO薄膜光电特性研究
AlGaN/GaN异质结的C-V特性研究
半导体材料带隙宽度的尺寸和温度效应研究
Zn0.98Co0.02O/PbZr0.52Ti0.48O3异质结的制备及其磁性能研究
化学有序AlxGa1-xN合金的电子性能研究
应力对h-BN的电子和光学性质的调制效应
ZnO基稀磁半导体高温铁磁性及其缺陷调控机理
软焊料键合实现MEMS晶圆级真空封装
低相变温度VO2薄膜的制备
硅衬底上AlGaN/GaN异质结材料的生长研究
蓝宝石衬底上高质量AlN材料生长研究
ZnO基稀磁半导体的制备与性能研究
层状多孔ZnO自持膜的制备及其气敏性能研究
MEMS晶圆级真空封装结构设计与工艺集成
基于TSV的MEMS圆片级真空封装关键技术的研究
激光合成β-FeSi2的结构特性及性能研究
金属有机物化学气相沉积设备多腔体气体输运技术的研究
光刻机运动平台功率放大控制卡的设计与实现
用于波像差检测的二元光栅掩模标记优化方法研究
第一性原理研究Ce掺杂ZnO、Ce/N共掺杂TiO2及透明导电氧化物In4Sn3O12和In4Ge3O12的电子结构和光学性质
半导体和氧化物表面石墨烯的生长和结构表征及锰掺杂碳化硅稀磁半导体研究
HVPE法制备GaN体材料的研究
大直径InP单晶制备及其半绝缘特性研究
介电氧化物薄膜在GaN半导体上的外延生长与性能研究
铁掺杂氧化铟薄膜的制备及磁性和输运性质研究
MOCVD法制备锌锡氧薄膜及其特性研究
Al1-xInxN的制备及其性质研究
外延GaN衬底上ZnO：Ga薄膜的制备及特性研究
GaN薄膜的MOCVD制备法及其表征
氮化镓LED中极化效应的理论模拟
缓冲层在提高透明导电膜性能方面的实验与理论研究
Mn、Fe掺杂Ge基稀磁半导体材料的制备研究
Mn、Co、Ni掺杂ZnO稀磁半导体的制备研究
钴/铬掺杂的锗基稀磁半导体的制备研究
氧化物半导体光电极制备及其Co-Pi表面修饰研究
氧化锌MOCVD材料生长和器件应用
利用电子束与深紫外光学曝光技术制备悬空掩膜的工艺研究
氧化锌薄膜及其掺杂特性
ZnTe半导体合金的第一性原理计算及其薄膜制备的研究
SnO2基纳米材料的合成及其气敏性能研究
高硼掺杂金刚石薄膜（Si/BDD）的制备及电化学性能的研究
磁控溅射法低温制备ITO透明导电薄膜工艺研究
基于ANSYS的大功率模块的分析
半导体封装测试中基于规则的派工系统
半导体晶圆制造系统（SWFS）炉管区组批派工策略研究
上一页
[83]
[84]
[85]
[86]
[87]
下一页
