| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-18页 |
| ·铁电聚合物概述 | 第7-9页 |
| ·铁电性综述 | 第9-10页 |
| ·极化疲劳 | 第10-11页 |
| ·铁电电容存储结构及原理 | 第11-12页 |
| ·半导体器件物理原理 | 第12-17页 |
| ·MOS结构 | 第13页 |
| ·功函数 | 第13-14页 |
| ·界面结构 | 第14-15页 |
| ·C-V曲线 | 第15-16页 |
| ·高频C-V特性测量电路 | 第16-17页 |
| ·本论文研究的内容 | 第17-18页 |
| 第二章 电容结构的样品制备及表征 | 第18-29页 |
| ·铁电聚合物P(VDF-TrFE)溶液的配制 | 第18页 |
| ·电容结构的样品制备 | 第18-21页 |
| ·薄膜表征 | 第21-28页 |
| ·P(VDF-TRFE)聚合物薄膜的AFM形貌表征 | 第21-26页 |
| ·原子力显微镜(AFM)的原理 | 第21-25页 |
| ·P(VDF-TrFE)聚合物薄膜的AFM表面形貌 | 第25-26页 |
| ·X射线衍射谱(XRD) | 第26-28页 |
| ·布拉格(Bragg)定律 | 第26-27页 |
| ·铁电薄膜XRD表征 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 MFeS结构的电学疲劳特性的研究 | 第29-39页 |
| ·实验方法 | 第29-33页 |
| ·实验样品制备 | 第29-30页 |
| ·P-V电滞回线的测量 | 第30-32页 |
| ·极化疲劳的表征 | 第32-33页 |
| ·实验结果 | 第33-36页 |
| ·结果与讨论 | 第36-38页 |
| ·极化疲劳 | 第36-37页 |
| ·P-V电滞回线中的矫顽场 | 第37页 |
| ·铁电开关电流峰的减小 | 第37-38页 |
| ·铁电薄膜的厚度 | 第38页 |
| ·P-Si/Al与Al底电极的比较 | 第38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 MFeOS结构的电学特性的研究 | 第39-59页 |
| ·实验力法 | 第39-41页 |
| ·实验样品制备 | 第39-40页 |
| ·C-V回线的产生及测量 | 第40-41页 |
| ·C-V回线中的记忆窗口和开关比 | 第41页 |
| ·实验结果 | 第41-54页 |
| ·样品形貌及结晶度表征 | 第41-42页 |
| ·C-V曲线表征 | 第42-44页 |
| ·MFeOS结构电学疲劳性能的研究 | 第44-48页 |
| ·MFeOS结构平带电容C_(FB)、V_(FB)和开关比(△C_(max))的确定 | 第45页 |
| ·极化电压对MFeOS器件结构的影响 | 第45-48页 |
| ·MFeOS结构retention性能的研究 | 第48-54页 |
| ·负写入电压幅度变化对retention性能的影响 | 第49-51页 |
| ·负写入电压时间变化对retention性能的影响 | 第51-52页 |
| ·正写入电压幅度变化对retention性能的影响 | 第52-53页 |
| ·正写入电压时间变化对retention性能的影响 | 第53-54页 |
| ·结果与讨论 | 第54-58页 |
| ·C-V测试参数的选择 | 第54-56页 |
| ·扫描信号频率对C-V曲线的影响 | 第54页 |
| ·扫描时间对C-V曲线的影响 | 第54-55页 |
| ·扫描电压范围对C-V曲线的影响 | 第55-56页 |
| ·MFeOS结构中的铁电膜分压讨论与计算 | 第56-57页 |
| ·极化过程中开关比C~+的变化讨论 | 第57页 |
| ·极化过程中记忆窗口的变化讨论 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 五 总结与展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
