| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| ·SiGe在MOS器件中的应用 | 第9-12页 |
| ·集成电路工艺中的接触技术 | 第12-16页 |
| ·自对准金属硅化物工艺(SALICIDE) | 第12-13页 |
| ·NiSi在现代MOS工艺中的应用 | 第13-14页 |
| ·接触技术遇到的挑战 | 第14-16页 |
| ·Ni基锗硅化物的研究现状 | 第16-19页 |
| ·NiSiGe的相稳定性 | 第17页 |
| ·NiSiGe的热稳定性 | 第17-19页 |
| ·本论文内容安排 | 第19-20页 |
| 第二章 实验方法与表征手段 | 第20-27页 |
| ·样品结构的制备 | 第20-21页 |
| ·样品表征方法 | 第21-27页 |
| ·薄层电阻和四探针 | 第21-22页 |
| ·X射线衍射 | 第22-24页 |
| ·扫描电子显微镜和原子力显微镜 | 第24-26页 |
| ·电流-电压特性测试及分析模型 | 第26-27页 |
| 第三章 Ni(Pt)/SiGe反应特性及形成肖特基接触特性的研究 | 第27-48页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·样品的制备与测试 | 第27-29页 |
| ·Ni(Pt)/SiGe反应特性及其形成肖特基接触特性的研究 | 第29-40页 |
| ·Ni/SiGe固相反应规律 | 第29-32页 |
| ·Ni(Pt)/SiGe固相反应规律 | 第32-35页 |
| ·Ni(Pt)SiGe/n-SiGe肖特基接触特性 | 第35-40页 |
| ·不同退火时间对Ni/SiGe反应特性的影响 | 第40-46页 |
| ·不同退火时间对Ni/SiGe固相反应影响的物相表征 | 第40-44页 |
| ·不同退火时间对NiSiGe/n-SiGe接触特性的影响 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 Ni/SiGe固相反应的原位XRD测试研究 | 第48-57页 |
| ·引言 | 第48页 |
| ·样品的制备与测试 | 第48-49页 |
| ·测试结果与分析 | 第49-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 NiSiGe/p~+-SiGe接触电阻率研究 | 第57-68页 |
| ·引言 | 第57页 |
| ·金属-半导体接触电阻率及其测量 | 第57-62页 |
| ·接触电阻率 | 第57-59页 |
| ·传输线(TLM)模型 | 第59-60页 |
| ·Cross Bridge Kelvin(CBK)测试结构 | 第60-62页 |
| ·样品的制备与测试 | 第62-63页 |
| ·测试结果与分析 | 第63-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 第六章 总结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 硕士期间发表论文目录 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
