基于32nm光刻双重图形技术的研究和工艺实践

摘要	第1-5页
Abstract	第5-6页
第一章 引言	第6-18页
·大规模集成电路的发展	第6-7页
·对光刻提出的要求	第7-8页
·光刻技术原理	第8-11页
·光刻技术发展历程和技术瓶颈	第11-16页
·光刻技术发展历程	第11-13页
·光刻技术瓶颈	第13-16页
·研究方向及意义	第16-18页
第二章 双重图形的技术基础分析和方案选择	第18-30页
·光刻-刻蚀-光刻-刻蚀	第20-22页
·单层硬掩膜	第20-22页
·双层硬掩膜	第22页
·光刻-工艺-光刻-刻蚀	第22-28页
·光刻胶工艺选择	第24-27页
·双重曝光光刻胶模拟	第27-28页
·自对准工艺	第28-29页
·小节	第29-30页
第三章 32nm LELE光刻技术版图设计	第30-38页
·版图方案选择	第32-33页
·实验选用的基于工艺光刻友好设计	第33-36页
·可制造性设计DFM	第36-37页
·小节	第37-38页
第四章 32nm LELE光刻技术工艺方案设计	第38-57页
·实验的集成方案	第38-39页
·实验选用的光刻版制备	第39-40页
·实验选用的工艺分辨率增强技术	第40-41页
·实验选用的设备	第41-46页
·实验结果	第46-57页
·工艺窗口	第46-48页
·CD均一性	第48-54页
·重合精度	第54-57页
第五章 结论	第57-58页
参考文献	第58-59页
致谢	第59-60页