| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-23页 |
| ·ZnO材料的基本性质概述 | 第8-10页 |
| ·ZnO电学性质和掺杂概述 | 第10-15页 |
| ·ZnO材料体系中H的行为 | 第12-13页 |
| ·ZnO材料的n型掺杂 | 第13-14页 |
| ·ZnO材料的p型掺杂 | 第14-15页 |
| ·ZnO基光电器件 | 第15-18页 |
| ·论文主要研究内容与结构 | 第18页 |
| 参考文献 | 第18-23页 |
| 第二章 ZnO薄膜材料MOCVD生长方法 | 第23-33页 |
| ·ZnO材料MOCVD方法基本原理及系统结构 | 第23-29页 |
| ·MOCVD方法制备ZnO材料的基本机理 | 第24-27页 |
| ·MOCVD系统简介 | 第27-29页 |
| ·MOCVD生长系统的操作 | 第29-31页 |
| ·本章小结 | 第31页 |
| 参考文献 | 第31-33页 |
| 第三章 O/Zn比和生长温度对ZnO薄膜中C杂质的影响 | 第33-49页 |
| ·引言 | 第33页 |
| ·ZnO薄膜样品制备及表征手段 | 第33-34页 |
| ·样品生长细节 | 第33-34页 |
| ·表征方法 | 第34页 |
| ·结果与讨论 | 第34-46页 |
| ·锌源和氧源的质谱分析 | 第35-39页 |
| ·生长温度与生长速率的关系分析 | 第39-41页 |
| ·薄膜样品Raman谱分析 | 第41-44页 |
| ·薄膜样品电学性质分析 | 第44页 |
| ·H_2对薄膜生长的影响 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |
| 第四章 铟掺杂ZnO薄膜结构与性质 | 第49-58页 |
| ·引言 | 第49-50页 |
| ·ZnO:In薄膜的制备及表征手段 | 第50页 |
| ·ZnO:In薄膜制备细节 | 第50页 |
| ·表征方法 | 第50页 |
| ·结果与讨论 | 第50-56页 |
| ·薄膜样品晶体结构分析 | 第50-52页 |
| ·薄膜样品电学性质分析 | 第52-53页 |
| ·薄膜样品光学性质分析 | 第53-56页 |
| ·本章小结 | 第56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 第五章 ZnO基紫外光电探测器 | 第58-68页 |
| ·引言 | 第58-60页 |
| ·ZnO基p-i-n结构制备和表征 | 第60-62页 |
| ·结果与讨论 | 第62-66页 |
| ·探测器Ⅰ-Ⅴ特性分析 | 第62-63页 |
| ·探测器光电响应分析 | 第63页 |
| ·i-MgZnO插入层作用分析 | 第63-66页 |
| ·本章小结 | 第66页 |
| 参考文献 | 第66-68页 |
| 第6章 结论 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 论文发表与会议报告 | 第70-71页 |