| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·超导量子计算简介 | 第7-8页 |
| ·超导量子比特的制备工艺研究现状 | 第8-11页 |
| ·超导量子比特 | 第11-15页 |
| ·约瑟夫森效应 | 第11-13页 |
| ·约瑟夫森量子比特 | 第13-15页 |
| 第二章 利用电子束曝光制备悬空掩膜结构 | 第15-32页 |
| ·Al/Al_2O_3/Al超导隧道结制备方法的简单介绍 | 第15-17页 |
| ·采用电子束曝光技术制备悬空掩模结构 | 第15页 |
| ·利用电子束斜蒸发法制备Al/Al_2O_3/Al超导隧道结 | 第15-17页 |
| ·电子束曝光技术 | 第17-21页 |
| ·电子光学原理和电子束曝光系统 | 第17-18页 |
| ·电子散射与临近效应 | 第18-20页 |
| ·电子束光刻胶及其工艺 | 第20-21页 |
| ·电子束曝光技术制备悬空掩膜结构工艺 | 第21-25页 |
| ·电子束曝光技术工艺流程 | 第21-22页 |
| ·悬空掩膜制备的主要影响因素 | 第22-25页 |
| ·Al/Al_2O_3/Al超导隧道结制备的改进和特性分析 | 第25-32页 |
| ·结区面积的控制分析 | 第25-27页 |
| ·不对称电极结构对漏电流的影响 | 第27-32页 |
| 第三章 利用深紫外光学曝光制备悬空掩膜结构 | 第32-48页 |
| ·深紫外光学曝光技术 | 第32-37页 |
| ·改用深紫外曝光技术的原因 | 第32页 |
| ·深紫外光学曝光技术的原理 | 第32-35页 |
| ·深紫外光学曝光的工艺流程 | 第35页 |
| ·光刻胶的特性 | 第35-36页 |
| ·光学临近效应及其校正 | 第36-37页 |
| ·超导量子比特电路的制备 | 第37-48页 |
| ·磁通量子比特电路原理 | 第37-39页 |
| ·超导量子比特电路的制备工艺流程 | 第39-40页 |
| ·掩膜版设计对光刻的影响 | 第40-43页 |
| ·甩胶和显影的控制 | 第43-45页 |
| ·深紫外光学曝光与电子束曝光的比较 | 第45-48页 |
| 第四章 总结 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 攻读硕士期间发表或待发表的论文 | 第53-54页 |
