| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 文献综述 | 第11-20页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·稀磁半导体的概述 | 第12-14页 |
| ·稀磁半导体的概念 | 第12-13页 |
| ·稀磁半导体的研究历程 | 第13页 |
| ·锗基稀磁半导体的发展现状 | 第13-14页 |
| ·稀磁半导体磁性来源的基础理论 | 第14-16页 |
| ·RKKY 交换作用 | 第14-15页 |
| ·间接交换作用 | 第15页 |
| ·双交换作用 | 第15-16页 |
| ·束缚磁极化子模型 | 第16页 |
| ·稀磁半导体的应用及挑战 | 第16-17页 |
| ·锗的性质 | 第17-18页 |
| ·课题的意义目的及思路 | 第18-20页 |
| 第二章 湿化学-氢气还原法制备钴掺杂的锗基稀磁半导体 | 第20-47页 |
| ·主要试剂 | 第20页 |
| ·实验所用的主要仪器 | 第20-21页 |
| ·测试表征手段 | 第21页 |
| ·湿化学-氢气还原法制备钴掺杂的锗基稀磁半导体 | 第21-25页 |
| ·液相沉积-氢气还原法制备钴掺杂的锗基稀磁半导体 | 第21-24页 |
| ·液相沉积-氢气还原法的实验方案 | 第21-22页 |
| ·不同参数反应前驱液的制备 | 第22-23页 |
| ·高掺杂浓度稀磁半导体的制备 | 第23-24页 |
| ·溶胶凝胶-氢气还原法制备钴掺杂的锗基稀磁半导体 | 第24-25页 |
| ·水热-氢气还原法制备钴掺杂的锗基稀磁半导体 | 第25页 |
| ·结果与讨论 | 第25-45页 |
| ·液相沉积-氢气还原法制备钴掺杂的锗基稀磁半导体 | 第25-39页 |
| ·制备稀磁半导体材料的机理研究 | 第25-26页 |
| ·锗基稀磁半导体材料的表面形貌 | 第26-27页 |
| ·锗基稀磁半导体材料的物相结构 | 第27-29页 |
| ·提高前驱液中掺杂物的浓度制备高掺杂浓度的稀磁半导体 | 第29-30页 |
| ·提高沉积温度和添加pH 调节剂制备高掺杂浓度的稀磁半导体 | 第30页 |
| ·Ge_(1-x)Co_x 稀磁半导体结构及性能的分析表征 | 第30-39页 |
| ·溶胶凝胶-氢气还原法制备钴掺杂的锗基稀磁半导体 | 第39-43页 |
| ·钴掺杂锗基稀磁半导体的表面形貌 | 第39页 |
| ·钴掺杂锗基稀磁半导体的物相分析 | 第39-41页 |
| ·钴掺杂锗基稀磁半导体的磁性能分析 | 第41-43页 |
| ·水热-氢气还原法制备钴掺杂的锗基稀磁半导体 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第三章 湿化学-物理蒸发法制备钴掺杂的锗基稀磁半导体 | 第47-68页 |
| ·主要试剂 | 第47页 |
| ·实验所用的主要仪器 | 第47页 |
| ·测试表征手段 | 第47-48页 |
| ·钴掺杂的锗基稀磁半导体的制备过程 | 第48-50页 |
| ·湿化学法制备锗基稀磁半导体前躯体 | 第49-50页 |
| ·物理蒸发法制备锗基稀磁半导体 | 第50页 |
| ·结果与讨论 | 第50-66页 |
| ·湿化学-物理蒸发法制备锗基稀磁半导体薄膜的机理 | 第50-51页 |
| ·锗基稀磁半导体薄膜的表面形貌 | 第51-53页 |
| ·钴掺杂锗基稀磁半导体薄膜的物质组成 | 第53页 |
| ·锗基稀磁半导体薄膜的物质结构 | 第53-59页 |
| ·锗基稀磁半导体薄膜的发光性能 | 第59-61页 |
| ·钴掺杂锗基稀磁半导体薄膜的电学性能 | 第61-64页 |
| ·钴掺杂锗基稀磁半导体薄膜的磁性能 | 第64-66页 |
| ·本章小结 | 第66-68页 |
| 论文总结 | 第68-70页 |
| 今后研究工作的设想 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第76-77页 |
