| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-20页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·半导体 | 第10-13页 |
| ·关于半导体 | 第10-12页 |
| ·半导体的种类和性质 | 第12-13页 |
| ·半导体的掺杂理论 | 第13-15页 |
| ·半导体薄膜 | 第15-16页 |
| ·电化学沉积过程 | 第16-18页 |
| ·本文的研究目的和意义 | 第18-20页 |
| 第2章 理论模型和计算方法 | 第20-30页 |
| ·引言 | 第20页 |
| ·第一性原理计算方法 | 第20-27页 |
| ·第一性原理计算方法的一般过程及其计算软件包 | 第27-28页 |
| ·合金特殊准随机结构(Special Quasirandom Structures,SQS) 模型简介 | 第28-30页 |
| 第3章 ZnTe 三元合金带边排列及双性掺杂的研究 | 第30-37页 |
| ·引言 | 第30-31页 |
| ·计算方法 | 第31页 |
| ·结果与讨论 | 第31-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第4章 恒电流沉积 ZnTe 薄膜及光电性能研究 | 第37-43页 |
| ·引言 | 第37-38页 |
| ·实验 | 第38页 |
| ·线性伏安特性曲线 | 第38-40页 |
| ·薄膜表面形貌研究 | 第40页 |
| ·薄膜可见吸收及禁带宽度的拟合 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第5章 恒电流沉积PbTe 薄膜及其光电性能的研究 | 第43-49页 |
| ·引言 | 第43-44页 |
| ·实验方法 | 第44页 |
| ·酸性溶液中 ITO 薄膜阴极沉积 Pb 和 Te | 第44-45页 |
| ·在 ITO 衬底上电化学沉积 PbTe 薄膜 | 第45-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 总结和展望 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51页 |
| 参考文献 | 第51-58页 |
| 附录 A 攻读学位期间所发表的学术论文目录 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
