基于TSV的MEMS圆片级真空封装关键技术的研究
摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-8页 |
1 绪论 | 第8-20页 |
·课题来源 | 第8-11页 |
·MEMS 真空封装发展现状 | 第11-14页 |
·TSV 技术发展现状 | 第14-18页 |
·本文主要研究工作 | 第18-20页 |
2 MEMS 圆片级真空封装键合工艺的研究 | 第20-34页 |
·几种键合方式的比较 | 第20-21页 |
·Au-Si 键合工艺流程设计 | 第21-22页 |
·Au-Si 键合工艺制作 | 第22-26页 |
·泄漏率检测 | 第26-30页 |
·键合强度检测 | 第30-33页 |
·本章小结 | 第33-34页 |
3 TSV 互连工艺的研究 | 第34-44页 |
·TSV 互连工艺特点 | 第34页 |
·TSV 互连工艺流程设计 | 第34-35页 |
·TSV 互连工艺制作 | 第35-43页 |
·本章小结 | 第43-44页 |
4 皮拉尼真空计的研究 | 第44-53页 |
·MEMS 真空度检测器件及其工作原理 | 第44-45页 |
·皮拉尼真空计结构设计与分析 | 第45-46页 |
·皮拉尼真空计加工工艺流程 | 第46-47页 |
·真空度标定与结果分析 | 第47-52页 |
·本章小结 | 第52-53页 |
5 总结与展望 | 第53-55页 |
·全文总结 | 第53页 |
·今后工作的建议和展望 | 第53-55页 |
致谢 | 第55-56页 |
参考文献 | 第56-61页 |
附录1 攻读硕士学位期间科研成果 | 第61页 |