当前位置:
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
一般性问题
--
材料
--
化合物半导体
硼掺杂对β-SiC光学性质的影响
低维氧化锌基材料及其在光探测器和太阳能电池中的应用
ZnO薄膜的制备和紫外探测器的研究
ZnO电子结构与基本属性的第一性原理研究
ZnO材料的制备及其性能研究
非故意掺杂4H-SiC本征缺陷及退火特性研究
4H-SiC外延材料低位错密度关键技术研究
ZnO基宽禁带稀磁半导体材料的制备及性能研究
基于ZnO的异质结的组建及其光电性能研究
ZnO薄膜及其光电子器件中的晶格失配与应力问题研究
磷掺杂p型ZnO光电特性及稳定性研究
半导体金属氧化物(ZnO,ZnSnO3)纳米材料的合成及其气敏性能研究
Na相关掺杂及N掺杂p型ZnO薄膜的制备和性能研究
ZnO透明导电薄膜的制备及性能优化
SiC晶圆等离子体清洗技术的研究
SiO2/SiC界面悬挂键及其钝化的第一原理研究
玻璃衬底上GaN和InN制备的研究
金属/SiC接触界面的氢等离子体改性研究
立方氮化硼紫外光电效应的研究
Be掺杂ZnO的电学、光学性质及ZnO复合缺陷研究
ZnS薄膜与镶嵌在Si3N4薄膜中的Ge纳米晶的制备及特性研究
Cr、Fe掺杂ZnO以及Fe、Cu共掺ZnO稀磁半导体的研究
掺铟二氧化锡薄膜(ITO)的制备及其性质研究
铁酸镥铁电材料的合成、微结构及性质研究
新型ZnO基透明导电氧化物薄膜的研究
斜切衬底上AlGaN/GaN异质结材料及n型GaN材料特性研究
4H-SiC外延材料缺陷的检测与分析
基于FTIR技术的4H-SiC同质外延材料的测试
离子注入对4H-SiC MOS界面特性影响的研究
GaN基材料热退火与湿法腐蚀的研究
高Al组分AlGaN外延膜的测试与表征
ZnO材料相变机理的研究
氧化锌的制备、改性及其光催化性能的研究
稀土—氮共掺杂TiO2的制备及其光催化性能研究
Mn掺杂纳米ZnO稀磁半导体的磁性研究
氧化物半导体的湿化学法制备
掺铝氧化锌透明导电膜的制备与性能研究
钙钛矿型氧化物半导化掺杂与表面吸附光电特性的理论研究
Co掺杂ZnO稀磁半导体的微观结构、光学及磁学性质
TiO2几何结构、电子结构和光学性能的第一性原理研究
TiO2/p+-Si异质结的电致发光
ZnO薄膜及其光电器件的室温制备及性能研究
NiO/ZnO基半导体异质结及MgNiO固溶体薄膜的制备与性能研究
过渡金属掺杂ZnO薄膜的制备及其性能研究
Na掺杂p型ZnO:Na_x薄膜的制备与性能研究
砷化硼及砷化铟团簇结构、稳定性和电子性质的理论研究
高压高温探究合成β-FeSi2热电材料
双受主施主掺杂ZnO薄膜的组织结构与性能
AlGaN/GaN异质结的C-V特性研究
应力对h-BN的电子和光学性质的调制效应
上一页
[11]
[12]
[13]
[14]
[15]
下一页