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化合物半导体
低热导率碲化物热电材料的制备及性能优化
射频磁控溅射法制备Na-N共掺p型ZnO薄膜及其性能的研究
ZnO薄膜的等离子体辅助MOCVD生长及掺杂研究
锌基和钼基稀磁半导体化合物的制备与表征
SiC材料和器件特性及其辐照效应的研究
Cd1-xZnxTe晶体的缺陷研究及退火改性
磷掺杂ZnO纳米材料的制备及性能研究
溶胶—凝胶法制备Zn1-xMgxO、Zn1-xMnxO薄膜及其发光性能研究
钙钛矿锰氧化物基异质结的制备及磁电性能研究
脉冲激光沉积ZnO薄膜及其性质研究
半导体氧化物ZnO和CdO纳米材料的光学非线性研究
掺杂ZnO稳定性和电子结构的第一性原理研究
氧化锌晶体材料的制备及其生长机理研究
纳米二氧化钛掺杂、表征与光响应性能研究
氮掺杂p型ZnO薄膜的生长及理论研究
ZnO薄膜p型掺杂及其相关问题研究
自支撑GaN衬底的研究
连续及纳秒激光对砷化镓材料的损伤研究
VO2薄膜的原位生长及其光学性能的研究
ZnO基稀磁半导体的制备及相关性能研究
半导体纳米ZnO的制备、掺杂及光学性质
理论和实验研究稀土掺杂对ZnO能隙的调控作用
纳米氧化镁颗粒和薄膜的制备
化合物半导体Cd1-xZnxTe中的In掺杂及其与Au的接触特性
稀磁半导体Hg1-xMnxTe的晶体生长及性能表征
特种SOI材料及相关技术研究
GaN外延生长中的SOI柔性衬底技术研究
SiC热氧化SiO2层结构的光谱学表征
四针状氧化锌晶须的场发射特性研究
大直径SI-GaAs中缺陷的微观特性及其分布
p型ZnO薄膜制备与表征
氮化镓材料中深能级的研究
用符合多普勒展宽谱研究离子辐照对GaSb材料中缺陷的影响
ZnO纳米晶的修饰、自组装及光学性质研究
烧结炭化硅晶体的制备、结构及光致发光特性
硒化镉（CdSe）单晶体的生长及其性能研究
掺杂SiC薄膜的制备及性能研究
ZnO薄膜的制备与性能分析
机械合金化制备Fe掺杂氧化物稀磁半导体
稀土-IV-VI族稀磁半导体材料的合成与La-Cu-Sn合金相图研究
MOCVD法可控生长磷掺杂ZnO量子点及其性能研究
ZnO光学性质与掺杂的第一性原理研究
立方氮化硼单晶半导体特性及电致发光现象的研究
SiC单晶抛光片的制备与表征
SiC高温电学特性研究
基于第一性原理的ZnO材料的计算机模拟计算
应变GaN/AlGaN量子阱中受屏蔽激子的压力效应
ZnO中掺杂与扩散性质的第一原理研究
碳化硅薄膜的外延生长、结构表征及石墨烯的制备
ZnO基稀磁半导体的电子结构和磁性研究
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