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化合物半导体
热处理对大直径LEC SI-GaAs中缺陷及电性能的影响
氮掺杂对β-SiC结构及性能影响的第一性原理研究
金属氧化物半导体材料的制备、微分析及应用研究
ZnS材料电子输运特性的Monte Carlo模拟
Li、Na与Mg共掺杂ZnO薄膜的制备与性质研究
氧化物半导体纳米结构的制备及其光电性能研究
PLD方法生长ZnO/ZnMgO量子阱及结构、光学性能研究
化学水浴法制备ZnS薄膜的结构及光学性能研究
大尺寸SiC晶体的生长缺陷及退火改性研究
ZnO透明薄膜的制备及特性研究
利用表面光伏谱研究氮化镓薄膜的光电行为
氧化物稀磁半导体的研究进展
HVPE生长自支撑GaN技术研究
氢化处理及Li掺杂ZnO薄膜光学性能研究
砷化镓材料的团簇及其光电特性研究
在碳化硅衬底上制备Si/SiC异质结
4H-SiC同质外延的表征及深能级分析研究
4H-SiC SBD与MESFET高能粒子辐照效应研究
SiO2介质材料辐射损伤噪声灵敏表征技术研究
第一性原理研究氧化锌的p型掺杂和钛酸锶的表面吸附
GaN基异质结缓冲层漏电研究
GaN基双异质结特性研究
一维纳米ZnO半导体材料的掺杂及器件制备
脉冲激光沉积GaN薄膜研究
ZnS掺杂系统电子结构和光学性质的理论研究
GaAs材料光电压谱特性分析
TiO2基氧化物半导体磁性的实验研究
LEC砷化镓单晶生长技术
碳化硅单晶微管道缺陷研究
VB-GaAs单晶片抛光技术研究
宽禁带SiC材料中杂质的分析研究
LED用砷化镓抛光片表面状态研究
SiC中V含量的二次离子质谱分析研究
PVT法生长SiC单晶中V掺杂行为研究
掺氮SiC薄膜制备及其光学特性的研究
PEDOT-PSS在ZnO上的肖特基结
SiC材料P型掺杂的第一性原理研究
激光沉积法制备掺钴氧化锌稀磁半导体
瓦斯敏感聚苯胺/纳米氧化物复合薄膜的制备
ZnO表界面及其相关特性的第一性原理研究
金属离子掺杂的ZnO第一性原理计算及透明导电薄膜制备研究
Cr掺杂ZnO薄膜的制备与磁性机制研究
宽带隙半导体SiC和ZnO的光电性质及掺杂研究
离子注入对大直径SI-GaAs晶体缺陷及电学性能的影响
ZnO光电导纳米材料及其半导体性质研究
PLD低温制备富硅SiO2薄膜及其应用
PVT法生长大尺寸SiC晶体的数值模拟
磁控溅射法制备优质氮化镓衬底生长用缓冲层氧化锌薄膜
Bi2Se3晶体p-型掺杂的第一性计算及其制备研究
氮和磷掺杂对3C-SiC光学性质的影响
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