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化合物半导体
ZnO基稀磁半导体高温铁磁性及其缺陷调控机理
蓝宝石衬底上高质量AlN材料生长研究
ZnO基稀磁半导体的制备与性能研究
介电氧化物薄膜在GaN半导体上的外延生长与性能研究
Al1-xInxN的制备及其性质研究
氮化镓LED中极化效应的理论模拟
氧化锌薄膜及其掺杂特性
ZnTe半导体合金的第一性原理计算及其薄膜制备的研究
SnO2基纳米材料的合成及其气敏性能研究
可溶性纳米二氧化钛及其复合物的制备与表征研究
AlGaN/GaNHEMT的特性及抑制电流崩塌的研究
GaN材料的极化特性研究
4H-SiC材料中刃型位错的理论研究
InGaN/GaN多量子阱势垒层掺In工艺及其应用研究
GaN HEMT非线性模型和微波功率放大器设计
高阻缓冲层与高迁移率GaN基HEMT材料生长研究
掺N的4H-SiC第一性原理研究
In AlN/GaN HEMT的研制与特性分析
GaN外延薄膜点缺陷与材料电学光学性质关系研究
SrTiO3及3C-SiC物性的第一性原理研究
基于密度泛函的SiC异质结研究
InGaN、InN及其异质结构材料生长与特性研究
GaN基HEMT器件集成与输出特性研究
水热法制备过渡金属掺杂ZnO及其光学性质研究
垂直式HVPE系统制备GaN衬底材料的数值模拟研究
四针状氧化锌晶须的表面改性及其光催化性能研究
Ⅲ-Ⅴ族半导体AlAs中的过渡金属团簇的第一性原理研究
高温高压下ZnO物理性质的第一性原理计算
金属氧化物半导体材料的电化学方法制备研究
Ⅳ-Ⅵ族量子点材料的钝化对光电特性的作用机制
非极性ZnO和ZnMgO薄膜的MOCVD法制备及性能研究
金属表面等离激元增强ZnMgO薄膜及ZnO/ZnMgO单量子阱发光
作为太阳能电池前电极的氧化锌掺铝绒面结构
P型铜铁矿结构掺杂氧化物半导体CuAlO2的制备及性能研究
磁控溅射法制备ZnO：Sb薄膜的拉曼光谱及光致发光研究
p型ZnO：Al-N薄膜的制备及物性研究
N，Ag单掺杂p型ZnO薄膜的制备与特性研究
Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的制备及在有机光伏器件中的应用
GaAlAs/GaAs光阴极组件材料机理研究
InGaN/GaN量子阱结构生长与分析及PECVD法氮化硅薄膜工艺
ZnO基异质结构及其场效应器件的制备与性质
MIS结构InGaN电流传输机制及金属纳米颗粒的自组装研究
基于n-ZnO/p-聚芴异质结构的有机无机异质结形成及其性能表征
智能激光防护材料：氧化钒薄膜的生长及其光电性能研究
ZnO薄膜的欧姆接触研究
电负性与氧化物材料光电性质研究
掺杂GaAs电子结构和光学性质的理论研究
ZnS及其掺杂体系的电子结构和光学性质计算与实验验证
ZnO光电功能薄膜材料的CMP研究
半导体金属氧化物的制备、表征及其气敏性能研究
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