| 中文摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-26页 |
| §1.1 纳米技术简介 | 第11-12页 |
| §1.2 氧化物半导体纳米材料研究进展 | 第12-14页 |
| §1.3 半导体氧化物纳米材料光电特性研究方法 | 第14-17页 |
| §1.4 存在问题 | 第17-18页 |
| §1.5 本论文研究的意义、思路及主要内容 | 第18-21页 |
| §1.6 参考文献 | 第21-26页 |
| 第二章 WO_3/TiO_2复合体系表界面的光电特性 | 第26-46页 |
| §2.1 概述 | 第26-29页 |
| §2.1.1 WO_3-TiO_2复合纳米材料简介 | 第26-27页 |
| §2.1.2 本章工作意义及内容 | 第27-29页 |
| §2.2 试验部分 | 第29-30页 |
| §2.3 双层WO_3-TiO_2复合纳米薄膜形貌研究 | 第30-33页 |
| §2.4 双层WO_3-TiO_2复合纳米薄膜电势像 | 第33-35页 |
| §2.5 多层WO_3-TiO_2复合纳米薄膜形貌像和电势像分析 | 第35-41页 |
| §2.6 多层WO_3-TiO_2复合纳米薄膜的导电原子力测试 | 第41-44页 |
| §2.7 本章小结 | 第44页 |
| §2.8 参考文献 | 第44-46页 |
| 第三章 一维WO_3纳米线的光电输运特性 | 第46-66页 |
| §3.1 概述 | 第46-48页 |
| §3.2 WO_3纳米线的制备和表征 | 第48-52页 |
| §3.3 W0_3纳米线器件的构筑 | 第52-55页 |
| §3.4 W0_3半导体纳米线光电输运性质的研究 | 第55-61页 |
| §3.5 W0_3/TiO_2复合结构纳米线的制备 | 第61-63页 |
| §3.6 本章小结 | 第63-64页 |
| §3.7 参考文献 | 第64-66页 |
| 第四章 SnO_2纳米结构的制备及其光电性能 | 第66-79页 |
| §4.1 概述 | 第66-68页 |
| §4.2 Sn0_2纳米结构的制备及表征 | 第68-76页 |
| §4.6 本章小节 | 第76页 |
| §4.7 参考文献 | 第76-79页 |
| 第五章 SnO_2复合体系的制备及其性能表征 | 第79-96页 |
| §5.1 概述 | 第79-81页 |
| §5.1.1 复合SnO_2纳米材料简介 | 第79-80页 |
| §5.1.2 本章工作的主要内容 | 第80-81页 |
| §5.2 Ag/SnO_2纳米带的制备和表征 | 第81-84页 |
| §5.2.1 Ag/SnO_2纳米带的制备 | 第81页 |
| §5.2.2 Ag/SnO_2纳米带的表征 | 第81-84页 |
| §5.3 Ag/SnO_2纳米带的输运性能研究 | 第84-88页 |
| §5.4 一维SnO_2和Ag/SnO_2纳米带表面光电压 | 第88-89页 |
| §5.5 ZnO/SnO_2复合纳米结构的制备和表征 | 第89-93页 |
| §5.6 本章小节 | 第93-94页 |
| §5.7 参考文献 | 第94-96页 |
| 第六章 结论与展望 | 第96-100页 |
| 博士期间发表和完成的工作 | 第100-102页 |
| 致谢 | 第102页 |
