| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| ·氧化锌概述和研究进展 | 第10页 |
| ·稀磁半导体的研究进展 | 第10-15页 |
| ·半导体自旋电子学 | 第11-12页 |
| ·稀磁半导体概述 | 第12-14页 |
| ·稀磁半导体研究进展 | 第14-15页 |
| ·ZnO基稀磁半导体薄膜的研究进展 | 第15-17页 |
| ·ZnO基稀磁半导体理论研究进展 | 第15页 |
| ·ZnO基稀磁半导体实验研究进展 | 第15-17页 |
| ·ZnO及其掺杂薄膜制备方法 | 第17-20页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第17页 |
| ·分子束外延生长法 | 第17-18页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第18页 |
| ·金属有机化学气相沉积法 | 第18-19页 |
| ·Langmuir-Blodgett法 | 第19-20页 |
| 第2章 脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜及特性研究 | 第20-28页 |
| ·ZnO靶材的制备 | 第20页 |
| ·不同衬底温度下氧化锌薄膜的特性 | 第20-27页 |
| ·实验过程 | 第20-21页 |
| ·原子力显微镜测试 | 第21-22页 |
| ·超景深三维显微镜测试 | 第22-23页 |
| ·霍尔效应和台阶仪测试 | 第23页 |
| ·光致发光谱测试 | 第23-25页 |
| ·透射谱测试 | 第25页 |
| ·拉曼光谱测试 | 第25-26页 |
| ·傅里叶红外吸收谱测试 | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 固相烧结法制备掺钴ZnO靶材及其特性研究 | 第28-38页 |
| ·实验 | 第28页 |
| ·烧结温度对掺钴ZnO靶材性质的影响 | 第28-36页 |
| ·X射线衍射测试（XRD） | 第28-30页 |
| ·拉曼光谱测试（Raman） | 第30-31页 |
| ·X射线能谱测试（XPS） | 第31-33页 |
| ·超导量子磁强计测试（SQUILD） | 第33-34页 |
| ·光致发光测试（PL） | 第34-35页 |
| ·红外透射谱测试（FIRT） | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-38页 |
| 第4章 脉冲激光沉积法制备掺钴ZnO薄膜及其特性研究 | 第38-48页 |
| ·实验过程 | 第38页 |
| ·衬底温度对掺钴ZnO薄膜性质的影响 | 第38-47页 |
| ·原子力显微镜测试（AFM） | 第38-41页 |
| ·X射线衍射测试（XRD） | 第41页 |
| ·X射线能谱测试（XPS） | 第41-43页 |
| ·紫外-可见透射谱测试（UV-Vis） | 第43-44页 |
| ·交流梯度磁强计测试（AGM） | 第44-46页 |
| ·霍尔效应测试（Hall） | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 结论 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-56页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57页 |