氮掺杂对β-SiC结构及性能影响的第一性原理研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-14页 |
| ·碳化硅的性质、应用及研究进展 | 第10-11页 |
| ·SiCN 材料性质、应用及研究进展 | 第11-12页 |
| ·研究的目的和意义 | 第12页 |
| ·研究的主要内容 | 第12-14页 |
| 第2章 密度泛函理论和计算方法 | 第14-30页 |
| ·引言 | 第14页 |
| ·早期的单电子近似理论 | 第14-15页 |
| ·Born-Oppenheimer 近似 | 第15-16页 |
| ·Hartree-Fock 近似 | 第16-18页 |
| ·密度泛函理论 | 第18-28页 |
| ·Hobenberg-Kohn 定理 | 第18-21页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第21-23页 |
| ·局域密度近似和局域自旋密度近似 | 第23-24页 |
| ·广义梯度近似 | 第24页 |
| ·赝势平面波方法 | 第24-26页 |
| ·模守恒赝势 | 第26-28页 |
| ·超软赝势 | 第28页 |
| ·CASTEP 简介 | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第3章 光学常数与入射频率的关系 | 第30-40页 |
| ·基本光学常数n 和k | 第30-31页 |
| ·介质中的极化 | 第31-33页 |
| ·光学常数的色散 | 第33-39页 |
| ·色散理论 | 第33-37页 |
| ·半导体带间直接跃迁光吸收 | 第37-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第4章 氮掺杂 β-SiC 第一性原理的研究 | 第40-56页 |
| ·带隙转变的理论分析 | 第40页 |
| ·β-SiC 带隙转变的数据分析 | 第40-46页 |
| ·以β-SiC 的原胞和晶胞为基元的能带计算 | 第40-42页 |
| ·两种计算方法的数据对比 | 第42-46页 |
| ·SiC1-xNx 能带结构的计算 | 第46-50页 |
| ·SiC0.75N0.25 能带结构的计算 | 第46-48页 |
| ·不同比例掺杂对晶体结构及能带的影响 | 第48-50页 |
| ·氮掺杂β-SiC 的态密度分析 | 第50-51页 |
| ·氮掺杂β-SiC 的光学性能 | 第51-55页 |
| ·SiC0.75N0.25 的光学性质 | 第51-54页 |
| ·不同比例掺杂的晶体的光学性质 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 作者简介 | 第64页 |
