VB-GaAs单晶片抛光技术研究
| 中文摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| ·砷化镓的结构 | 第8-9页 |
| ·砷化镓的性质 | 第9-10页 |
| ·砷化镓的能带结构 | 第9-10页 |
| ·砷化镓的物理、化学性质 | 第10页 |
| ·砷化镓的光学性质 | 第10页 |
| ·砷化镓中常见杂质和点缺陷 | 第10-11页 |
| ·砷化镓在光电领域的应用 | 第11页 |
| ·论文的主要研究内容 | 第11-13页 |
| 第二章 砷化镓抛光片的制备流程及测试技术 | 第13-19页 |
| ·砷化镓抛光片的制备流程 | 第13页 |
| ·砷化镓抛光片的测试技术 | 第13-17页 |
| ·晶向的测试 | 第13-15页 |
| ·厚度测量 | 第15页 |
| ·几何参数测量 | 第15-16页 |
| ·表面颗粒度测试 | 第16-17页 |
| ·专用术语解释 | 第17-19页 |
| 第三章 单晶滚圆与单晶切割 | 第19-24页 |
| ·VB-GaAs单晶滚圆技术 | 第19-20页 |
| ·VB-GaAs单晶切割技术 | 第20-24页 |
| ·切割位置的选择 | 第20-21页 |
| ·线切割技术 | 第21-24页 |
| 第四章 晶片倒角与晶片研磨 | 第24-31页 |
| ·晶片倒角 | 第24-25页 |
| ·晶片研磨 | 第25-31页 |
| ·研磨压力对几何参数的影响 | 第26-27页 |
| ·研磨机转速对几何参数的影响 | 第27页 |
| ·金刚砂粒径对表面粗糙度的影响 | 第27-28页 |
| ·VB-GaAs研磨片的清洗 | 第28-31页 |
| 第五章 晶片化学腐蚀 | 第31-35页 |
| ·腐蚀液组分的研究 | 第31页 |
| ·化学腐蚀速率对表面质量的影响 | 第31-34页 |
| ·化学腐蚀速率与腐蚀液组分的关系 | 第31-32页 |
| ·腐蚀温度对腐蚀速率的影响 | 第32-33页 |
| ·不同腐蚀速率对表面质量的影响 | 第33-34页 |
| ·化学腐蚀的影响因素分析 | 第34-35页 |
| 第六章 晶片单面抛光技术 | 第35-46页 |
| ·粘蜡技术研究 | 第35-38页 |
| ·粘蜡温度、静置时间对抛光工艺的影响 | 第36-37页 |
| ·蜡层厚度对抛光片质量的影响 | 第37页 |
| ·冷却方式对抛光片质量的影响 | 第37-38页 |
| ·三步抛光技术研究 | 第38-46页 |
| ·粗抛技术研究 | 第38-42页 |
| ·中抛技术研究 | 第42-44页 |
| ·精抛技术研究 | 第44-46页 |
| 第七章 晶片清洗技术 | 第46-55页 |
| ·有机物去除技术研究 | 第46-51页 |
| ·背表面清洗技术研究 | 第46-49页 |
| ·正表面清洗技术研究 | 第49-51页 |
| ·颗粒去除技术研究 | 第51-55页 |
| ·颗粒在表面的吸附状态 | 第51页 |
| ·颗粒的去除机理 | 第51-53页 |
| ·兆声波清洗技术的应用 | 第53页 |
| ·试验结果 | 第53-55页 |
| 第八章 晶片封装 | 第55-59页 |
| ·包装盒的清洗技术 | 第55-57页 |
| ·包装袋的清洗技术 | 第57页 |
| ·相对湿度的控制技术 | 第57-58页 |
| ·封装环境对抛光片质量的影响 | 第58-59页 |
| 第九章 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
