| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-21页 |
| ·课题背景 | 第9-11页 |
| ·SiC的多型结构 | 第11-12页 |
| ·SiC单晶制备 | 第12-16页 |
| ·Acheson法 | 第13页 |
| ·Lely法 | 第13-14页 |
| ·物理气相传输法 | 第14-16页 |
| ·外延生长法 | 第16页 |
| ·SiC晶体缺陷及其研究现状 | 第16-19页 |
| ·本论文的主要研究内容及意义 | 第19-21页 |
| 第2章 实验过程及表征方法 | 第21-30页 |
| ·碳化硅晶体生长 | 第21-22页 |
| ·样品制备 | 第22-24页 |
| ·SiC晶体退火处理 | 第24-26页 |
| ·高温退火 | 第25页 |
| ·氧化处理 | 第25页 |
| ·酸洗 | 第25-26页 |
| ·机械抛光 | 第26页 |
| ·SiC晶体结构、缺陷表征方法 | 第26-28页 |
| ·同步辐射白光形貌仪 | 第26-27页 |
| ·X射线衍射仪(XRD) | 第27页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第27页 |
| ·拉曼光谱仪(Raman Spectroscopy) | 第27页 |
| ·X射线双晶衍射仪 | 第27页 |
| ·低温光致发光光谱仪 | 第27-28页 |
| ·电子顺磁共振谱仪 | 第28页 |
| ·本章小结 | 第28-30页 |
| 第3章 SiC晶体结构及缺陷分析 | 第30-43页 |
| ·SiC晶体的结构 | 第30-34页 |
| ·SiC晶体中的缺陷 | 第34-41页 |
| ·点缺陷 | 第34-36页 |
| ·位错 | 第36-40页 |
| ·微管 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第4章 SiC晶体的退火处理 | 第43-51页 |
| ·退火处理对SiC晶体结构的影响 | 第43-46页 |
| ·退火处理对SiC晶体中点缺陷的作用 | 第46-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-58页 |
| 致谢 | 第58页 |