| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-12页 |
| 第一章 前言 | 第12-15页 |
| 第二章 文献综述 | 第15-48页 |
| ·半导体超晶格与量子阱结构的基本性质 | 第15-26页 |
| ·量子阱中载流子的二维限制效应 | 第16-17页 |
| ·量子约束斯达克效应 | 第17-20页 |
| ·量子阱之间的耦合作用 | 第20-22页 |
| ·量子阱中的激子 | 第22-26页 |
| ·激子的束缚能(结合能) | 第22-23页 |
| ·激子的局域化效应 | 第23-26页 |
| ·ZnO材料的"能带工程" | 第26-33页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xO合金 | 第28-30页 |
| ·Zn_(1-x)Be_xO合金 | 第30-31页 |
| ·Zn_(1-y)Cd_yO合金 | 第31-33页 |
| ·ZnO基量子阱或超晶格的制备方法 | 第33-35页 |
| ·分子束外延 | 第33-34页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第34页 |
| ·金属有机物化学气相沉积 | 第34-35页 |
| ·ZnO量子阱的应用 | 第35-48页 |
| ·半导体激光器 | 第35-39页 |
| ·半导体发光二极管 | 第39-48页 |
| 第三章 PLD实验原理及性能表征 | 第48-55页 |
| ·脉冲激光沉积技术原理 | 第48-50页 |
| ·激光与靶材相互作用产生等离子体 | 第48-49页 |
| ·等离子体的空间传输 | 第49-50页 |
| ·薄膜在衬底上沉积 | 第50页 |
| ·实验过程 | 第50-53页 |
| ·实验设备 | 第50-52页 |
| ·靶材制备 | 第52页 |
| ·衬底及清洗 | 第52页 |
| ·ZnO/ZnMgO量子阱的制备过程 | 第52-53页 |
| ·性能表征 | 第53-55页 |
| 第四章 ZnO与ZnMgO薄膜生长及其n型掺杂的性能研究 | 第55-75页 |
| ·影响ZnO薄膜生长的因素 | 第55-65页 |
| ·生长温度 | 第55-59页 |
| ·生长气氛 | 第59-62页 |
| ·薄膜厚度 | 第62-63页 |
| ·退火处理 | 第63-64页 |
| ·缓冲层作用 | 第64-65页 |
| ·ZnO薄膜的光学性质 | 第65页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xO合金薄膜与带隙调节 | 第65-68页 |
| ·Al掺杂透明导电Zn_(1-x)Mg_xO薄膜 | 第68-74页 |
| ·结构性能 | 第69-70页 |
| ·薄膜的组分与厚度 | 第70-71页 |
| ·电学性能 | 第71-72页 |
| ·光学性能 | 第72-74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 第五章 ZnO/Zn_(1-x)Mg_xO量子阱结构生长及发光机理研究 | 第75-102页 |
| ·ZnO/ZnMgO多量子阱结构的制备 | 第76-78页 |
| ·量子约束效应 | 第78-80页 |
| ·激子束缚能的增加 | 第80-83页 |
| ·量子阱的宽度对PL谱的影响 | 第83-86页 |
| ·多量子阱中势垒层的宽度对PL谱的影响 | 第86-89页 |
| ·缓冲层的厚度对量子阱PL谱的影响 | 第89-90页 |
| ·势垒高度对量子阱PL谱的影响 | 第90-91页 |
| ·激子"局域化"效应 | 第91-101页 |
| ·单量子阱的局域化现象 | 第92-96页 |
| ·多量子阱的局域化现象 | 第96-101页 |
| ·本章小结 | 第101-102页 |
| 第六章 总结 | 第102-104页 |
| 参考文献 | 第104-113页 |
| 作者简历 | 第113页 |
| 期刊论文 | 第113-114页 |
| 专利成果 | 第114页 |