| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-14页 |
| ·ZnO基本性质 | 第8-9页 |
| ·晶体结构 | 第8-9页 |
| ·能带结构 | 第9页 |
| ·薄膜性质 | 第9-10页 |
| ·薄膜缺陷 | 第9-10页 |
| ·薄膜生长 | 第10页 |
| ·ZnO薄膜研究进展 | 第10-12页 |
| ·透明电极 | 第11页 |
| ·紫外光探测器 | 第11页 |
| ·可与GaN互作缓冲层 | 第11页 |
| ·表面声波器件 | 第11-12页 |
| ·ZnO发光管和激光器 | 第12页 |
| ·用于光电器件的单片集成 | 第12页 |
| ·本论文的研究内容、主要创新点及意义 | 第12-14页 |
| 2 ZnO薄膜生长设备及样品的表征方法 | 第14-31页 |
| ·ZnO薄膜制备技术进展 | 第14-19页 |
| ·金属有机物气相沉积 | 第14-15页 |
| ·分子束外延 | 第15-16页 |
| ·溅射 | 第16-17页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第17-18页 |
| ·溶胶凝胶法 | 第18-19页 |
| ·材料的表征方法 | 第19-27页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第19-22页 |
| ·光致发光谱(PL) | 第22-24页 |
| ·霍尔效应(Hall effect) | 第24-25页 |
| ·透射-反射谱(Transmission and reflection spectra) | 第25-26页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第26页 |
| ·其他测试方法 | 第26-27页 |
| ·真空热蒸发制备ZnO薄膜的特点和原理 | 第27-30页 |
| ·蒸发氧化技术简介 | 第27页 |
| ·蒸发氧化法生长用源材料 | 第27页 |
| ·用于ZnO生长的蒸发氧化反应系统 | 第27-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 3 载玻片为衬底生长ZnO及其特性分析 | 第31-41页 |
| ·载玻片衬底上生长ZnO | 第31-33页 |
| ·影响ZnO薄膜生长的因素 | 第33-34页 |
| ·Zn平衡蒸汽压 | 第33页 |
| ·Zn的蒸发速率 | 第33-34页 |
| ·Zn膜的纯度 | 第34页 |
| ·生长温度对ZnO薄膜的影响 | 第34-40页 |
| ·择优定向生长 | 第34-36页 |
| ·生长温度对ZnO薄膜晶体结构的影响 | 第36-37页 |
| ·生长温度对薄膜光学性质和电学性质的影响 | 第37-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 4 分步氧化法生长ZnO薄膜 | 第41-48页 |
| ·ZnO的蒸气压 | 第41-42页 |
| ·分步氧化法 | 第42-43页 |
| ·分步氧化法与直接氧化法的比较 | 第43-47页 |
| ·形成的ZnO薄膜的晶体结构比较 | 第43-44页 |
| ·两种方法制得ZnO薄膜的光学性质和电学性质比较 | 第44-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 附录 ZnO XRD衍射角度和晶面方向对应表 | 第51-52页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |