| 目录 | 第1-7页 |
| 摘要 | 第7-9页 |
| ABSTRACT(英文摘要) | 第9-11页 |
| 第一章 引言 | 第11-35页 |
| ·SiCN材料特性 | 第11-20页 |
| ·SiC的结构和特点 | 第12-15页 |
| ·氮化硅(Si_3N_4)的结构和特点 | 第15-16页 |
| ·氮化碳(C_3N_4)的结构和特点 | 第16-19页 |
| ·硅碳氮(SiCN)的结构和特点 | 第19-20页 |
| ·SiCN薄膜研究现状及问题 | 第20-32页 |
| ·SiCN薄膜制备方法简介 | 第20-30页 |
| ·SiCN薄膜研究现状 | 第30-31页 |
| ·SiCN薄膜存在的问题 | 第31-32页 |
| ·研究内容和基本框架 | 第32-35页 |
| 第二章 HFCVD沉积系统及样品表征方法 | 第35-53页 |
| ·HFCVD沉积系统 | 第35-38页 |
| ·HFCVD技术 | 第35页 |
| ·HFCVD系统的基本组成 | 第35-38页 |
| ·HFCVD沉积系统设计 | 第38-44页 |
| ·系统的总体设计 | 第38-40页 |
| ·其他关键部件的设计 | 第40-43页 |
| ·实验中原材料的选择 | 第43-44页 |
| ·SiCN薄膜制备工艺的设计 | 第44-50页 |
| ·与衬底相关的工艺设计 | 第45-47页 |
| ·与均匀热场相关的设计 | 第47页 |
| ·薄膜生长工艺参数 | 第47-48页 |
| ·薄膜制备的工艺流程 | 第48-50页 |
| ·样品的表征方法 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第三章 SiCN材料结构和光学特性的理论模拟 | 第53-73页 |
| ·模拟计算的理论基础及模拟软件的介绍 | 第53-60页 |
| ·计算理论概述 | 第53-58页 |
| ·CASTEP软件简介 | 第58-59页 |
| ·物理量的含义 | 第59-60页 |
| ·基于β-SiC的SiC_XN_Y模型的建立及其结构、光学特性分析 | 第60-64页 |
| ·β-SiC单晶胞模型 | 第60-61页 |
| ·β-SiC晶体能带结构及态密度 | 第61-62页 |
| ·β-SiC的光学特性 | 第62-63页 |
| ·基于β-SiC的SiC_XN_Y模型 | 第63页 |
| ·基于β-SiC的SiC_XN_Y晶体能带结构及态密度 | 第63-64页 |
| ·基于β-Si_3N_4的SiC_XN_Y模型的建立及其结构、光学特性分析 | 第64-72页 |
| ·β-Si_3N_4单晶胞模型 | 第64-65页 |
| ·β-Si_3N_4晶体能带结构及态密度 | 第65-67页 |
| ·β-Si_3N_4的光学特性 | 第67页 |
| ·基于β-Si_3N_4的SiC_XN_Y模型 | 第67-68页 |
| ·基于β-Si_3N_4的SiC_XN_Y晶体能带结构及态密度 | 第68-70页 |
| ·基于β-Si_3N_4的SiC_XN_Y的光学特性 | 第70-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 第四章 SiC薄膜的制备及结构分析 | 第73-101页 |
| ·预处理工艺分析 | 第73-82页 |
| ·热丝碳化处理对薄膜的影响 | 第73-74页 |
| ·衬底HF酸蚀处理对薄膜的影响 | 第74-76页 |
| ·衬底高温氢处理对薄膜的影响 | 第76-78页 |
| ·衬底碳化处理对薄膜的影响 | 第78-82页 |
| ·SiC薄膜制备工艺的分析 | 第82-94页 |
| ·热丝与衬底间距离对薄膜的影响 | 第83-85页 |
| ·衬底温度对薄膜的影响 | 第85-88页 |
| ·氢气流量对薄膜的影响 | 第88-91页 |
| ·硅烷和甲烷流量比对薄膜的影响 | 第91-94页 |
| ·工艺优化后所制备SiC薄膜的表征 | 第94-99页 |
| ·SiC薄膜的X射线衍射谱 | 第94页 |
| ·SiC薄膜的形貌研究 | 第94-95页 |
| ·SiC薄膜的俄歇电子能谱研究 | 第95-96页 |
| ·SiC薄膜的X射线光电子能谱(XPS)测试分析 | 第96-97页 |
| ·SiC薄膜的傅立叶红外谱(FTIR)分析 | 第97-98页 |
| ·SiC薄膜的Raman分析 | 第98-99页 |
| ·本章小结 | 第99-101页 |
| 第五章 掺氮SiC薄膜的制备及结构分析 | 第101-121页 |
| ·SiC_X_N_Y薄膜制备工艺的分析 | 第101-115页 |
| ·氮气(N_2)流量对薄膜的影响 | 第101-107页 |
| ·甲烷(CH_4)流量对薄膜的影响 | 第107-111页 |
| ·衬底温度对薄膜的影响 | 第111-115页 |
| ·优化工艺后制备SiC_XN_Y薄膜的表征 | 第115-119页 |
| ·SiC_XN_Y薄膜的结构特性 | 第115-116页 |
| ·SiC_XN_Y薄膜的成份分析 | 第116-117页 |
| ·SiC_XN_Y薄膜化学键成键分析 | 第117-118页 |
| ·SiC_XN_Y薄膜的形貌研究 | 第118-119页 |
| ·本章小结 | 第119-121页 |
| 第六章 掺氮SiC薄膜光电特性分析 | 第121-131页 |
| ·SiC薄膜的光学特性分析 | 第121-125页 |
| ·SiC薄膜的紫外-可见分光光度计分析及光学带隙 | 第121-122页 |
| ·SiC薄膜的光致发光谱分析 | 第122-123页 |
| ·SiC薄膜的场发射特性 | 第123-125页 |
| ·掺N SiC薄膜光电特性分析 | 第125-129页 |
| ·SiC_XN_Y薄膜的紫外-可见分光光度计分析及光学带隙 | 第125-128页 |
| ·SiC_XN_Y薄膜的光致发光谱分析 | 第128页 |
| ·SiC_XN_Y薄膜的折射率(n)和消光系数(k) | 第128-129页 |
| ·本章小结 | 第129-131页 |
| 第七章 结论与展望 | 第131-137页 |
| ·工作总结 | 第131-133页 |
| ·HFCVD系统的改造与设计 | 第131-132页 |
| ·SiC_XN_Y材料计算模型分析 | 第132页 |
| ·SiC薄膜制备及结构分析 | 第132-133页 |
| ·SiC_XN_Y薄膜制备及结构分析 | 第133页 |
| ·SiC薄膜和SiC_XN_Y薄膜的光电特性研究 | 第133页 |
| ·主要创新点 | 第133-134页 |
| ·对今后工作的设想与建议 | 第134-137页 |
| 参考文献 | 第137-153页 |
| 攻读博士学位期间的研究成果及获奖情况 | 第153-155页 |
| 致谢 | 第155-157页 |
| 附录 | 第157-158页 |
