| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 引言 | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-18页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第11-13页 |
| ·基本结构 | 第11页 |
| ·光电性质 | 第11-12页 |
| ·压敏性质 | 第12页 |
| ·压电性质 | 第12-13页 |
| ·ZnO薄膜的应用 | 第13-14页 |
| ·ZnO基肖特基结概述 | 第14-17页 |
| ·ZnO基肖特基结的形成原理 | 第14-15页 |
| ·接触材料的选择与PEDOT-PSS材料的特性 | 第15页 |
| ·ZnO表面预处理 | 第15-16页 |
| ·n型ZnO薄膜制备工艺 | 第16-17页 |
| ·p型ZnO肖特基结 | 第17页 |
| ·本论文的的研究内容 | 第17-18页 |
| 第二章 ZnO和PEDOT-PSS薄膜制备方法与表征 | 第18-27页 |
| ·ZnO薄膜的制备方法 | 第18-21页 |
| ·磁控溅射(Magnetron Sputtering) | 第18-19页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第19页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第19-20页 |
| ·化学气相沉积(CVD) | 第20页 |
| ·溶胶-凝胶法(Sol-Gel) | 第20-21页 |
| ·PEDOT-PSS薄膜的制备方法—旋转涂膜法 | 第21页 |
| ·ZnO薄膜表征方法 | 第21-27页 |
| ·X射线衍射谱(XRD) | 第21-23页 |
| ·扫描电子显微镜(scanning electron microscope) | 第23页 |
| ·光致发光谱 | 第23-24页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第24页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第24-25页 |
| ·四探针法测量电阻率 | 第25-27页 |
| 第三章 ZnO薄膜的制备与性能表征 | 第27-33页 |
| ·制备ZnO薄膜的过程 | 第27-29页 |
| ·靶材的选择 | 第27-28页 |
| ·基片的清洗 | 第28页 |
| ·磁控溅射的过程 | 第28-29页 |
| ·氧分压对生长ZnO薄膜的影响 | 第29-30页 |
| ·退火对ZnO薄膜的影响 | 第30-33页 |
| 第四章 ZnO基的肖特基结特性 | 第33-44页 |
| ·ZnO基肖特基结材料的选择 | 第33-34页 |
| ·PEDOT-PSS薄膜制备工艺研究 | 第34-36页 |
| ·实验方案 | 第34页 |
| ·PEDOT-PSS薄膜结果分析 | 第34-36页 |
| ·PEDOT-PSS/ZnO肖特基结 | 第36-44页 |
| ·实验方案 | 第36-37页 |
| ·电极制备 | 第37页 |
| ·n-ZnO/PEDOT-PSS肖特基结的能带模型 | 第37-38页 |
| ·n-ZnO/PEDOT-PSS肖特基结的Ⅰ-Ⅴ特性 | 第38-44页 |
| 第5章 总结 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-48页 |
| 学位论文数据集 | 第48页 |
