| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-20页 |
| ·SiC材料物理特性及研究意义 | 第14-16页 |
| ·SiC的物理特性 | 第14-15页 |
| ·SiC的相关应用 | 第15-16页 |
| ·SiC材料的应用 | 第16-17页 |
| ·国内外研究现状 | 第17-19页 |
| ·实验研究现状 | 第17-18页 |
| ·理论研究现状 | 第18-19页 |
| ·本文的主要内容 | 第19-20页 |
| ·本文的研究意义 | 第19页 |
| ·本文研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 第一性原理及VASP软件介绍 | 第20-35页 |
| ·引言 | 第20-21页 |
| ·Born-Oppenheimer近似 | 第21页 |
| ·Harteree-Fock近似 | 第21-23页 |
| ·Hartree方程 | 第21-22页 |
| ·Harteree-Fock方程 | 第22-23页 |
| ·密度泛函理论 | 第23-30页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第25-26页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第26-27页 |
| ·局域密度泛函近似(LDA) | 第27页 |
| ·广义梯度近似(GGA) | 第27-29页 |
| ·布洛赫定理 | 第29-30页 |
| ·赝势方法 | 第30-32页 |
| ·模守恒赝势 | 第30-31页 |
| ·超软赝势 | 第31-32页 |
| ·第一性原理软件VASP介绍 | 第32-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 本征SiC几何结构及电子结构计算 | 第35-41页 |
| ·引言 | 第35页 |
| ·理论模型及计算方法 | 第35-36页 |
| ·理论模型 | 第35-36页 |
| ·计算方法 | 第36页 |
| ·计算结果及讨论 | 第36-38页 |
| ·晶体结构计算结果 | 第36页 |
| ·能带结构 | 第36-38页 |
| ·电子态密度分析 | 第38页 |
| ·4H SiC计算讨论 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 SiC材料P型掺杂的电子结构计算讨论 | 第41-53页 |
| ·引言 | 第41页 |
| ·计算方法及细节 | 第41-42页 |
| ·计算方法 | 第41-42页 |
| ·计算细节 | 第42页 |
| ·计算结果及讨论 | 第42-52页 |
| ·结构优化 | 第42页 |
| ·掺杂形成能 | 第42-43页 |
| ·能带结构分析 | 第43-46页 |
| ·电子态密度分析 | 第46-52页 |
| ·结论 | 第52-53页 |
| 第五章 SiC材料的磁性性能计算 | 第53-60页 |
| ·引言 | 第53-54页 |
| ·研究背景及意义 | 第53页 |
| ·SiC基稀磁半导体的研究进展 | 第53-54页 |
| ·本文的研究意义 | 第54页 |
| ·计算方法及细节 | 第54-56页 |
| ·计算模型 | 第54-55页 |
| ·计算细节 | 第55-56页 |
| ·SiC材料磁学性能的计算结果讨论 | 第56-59页 |
| ·晶体结构计算结果 | 第56-57页 |
| ·Si_(1-x)V_xC,Si_(1-x)Cr_xC, Si_(1-x)Mn_xC的掺杂形成能比较 | 第57-58页 |
| ·Si_(1-x)V_xC,Si_(1-x)Cr_xC, Si_(1-x)Mn_xC掺杂的磁性比较 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 发表论文 | 第64-65页 |
| 作者简介 | 第65页 |
| 导师简介 | 第65页 |