| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| §1-1 GaAs 材料的结构、性质及应用 | 第10-13页 |
| 1-1-1 砷化镓晶体的结构特点 | 第10-11页 |
| 1-1-2 砷化镓晶体性质 | 第11页 |
| 1-1-3 SI-GaAs 材料的特性 | 第11-12页 |
| 1-1-4 砷化镓的应用 | 第12-13页 |
| §1-2 SI-GaAs 单晶中的杂质与缺陷 | 第13-16页 |
| 1-2-1 SI-GaAs 中的主要剩余电活性杂质 | 第13页 |
| 1-2-2 SI-GaAs 中的点缺陷 | 第13-14页 |
| 1-2-3 SI-GaAs 中的线缺陷 | 第14-16页 |
| 1-2-3-1 位错类型及分布 | 第14-15页 |
| 1-2-3-2 位错对砷化镓性能的影响 | 第15-16页 |
| §1-3 SI-GaAs 中的微缺陷 | 第16-18页 |
| 1-3-1 微缺陷的定义 | 第16页 |
| 1-3-2 微缺陷研究现状 | 第16-18页 |
| §1-4 GaAs 晶体生长工艺 | 第18-19页 |
| §1-5 研究热处理SI-GaAs 中缺陷及电性能影响的意义 | 第19-21页 |
| §1-6 本论文的主要研究内容 | 第21-23页 |
| 第二章 实验方法与检测手段 | 第23-31页 |
| §2-1 缺陷的显示—电化学腐蚀法 | 第23-24页 |
| 2-2-1 AB 腐蚀法 | 第23-24页 |
| 2-2-2 超声AB 腐蚀法 | 第24页 |
| §2-2 样品检测 | 第24-31页 |
| 2-2-1 金相显微镜 | 第24-25页 |
| 2-2-2 扫描电子显微镜 | 第25-26页 |
| 2-2-3 红外吸收光谱仪 | 第26-28页 |
| 2-2-3-1 红外吸收法测量原理 | 第26-27页 |
| 2-2-3-2 红外吸收法的样品准备 | 第27-28页 |
| 2-2-4 霍尔测量系统 | 第28-31页 |
| 2-2-4-1 霍尔系数的测量 | 第29页 |
| 2-2-4-2 导电类型的测量 | 第29页 |
| 2-2-4-3 载流子浓度的测量 | 第29页 |
| 2-2-4-4 电阻率的测量 | 第29-30页 |
| 2-2-4-5 Hall 迁移率的测量 | 第30-31页 |
| 第三章 SI-GaAs 单晶中的本征缺陷 | 第31-39页 |
| §3-1 引言 | 第31页 |
| §3-2 实验过程 | 第31-32页 |
| 3-2-1 缺陷形貌 | 第31-32页 |
| 3-2-2 位错密度 | 第32页 |
| 3-2-3 As 沉淀的分布 | 第32页 |
| §3-3 实验结果与讨论 | 第32-38页 |
| 3-3-1 金相显微镜检测缺陷 | 第32-34页 |
| 3-3-2 金相显微镜检测位错密度 | 第34-35页 |
| 3-3-3 位错形成的原因 | 第35页 |
| 3-3-4 As 沉淀 | 第35-36页 |
| 3-3-5 热处理后As 沉淀的分布 | 第36页 |
| 3-3-6 热处理影响As 沉淀的机理 | 第36-38页 |
| §3-4 小结 | 第38-39页 |
| 第四章SI-GaAs 单晶中的EL2 缺陷和C 杂质 | 第39-48页 |
| §4-1 引言 | 第39页 |
| §4-2 LEC SI-GaAs 单晶中的深施主缺陷EL2 | 第39-44页 |
| 4-2-1 原生SI-GaAs 单晶中EL2 的浓度分布 | 第39-41页 |
| 4-2-2 热处理对EL2 浓度的影响 | 第41-42页 |
| 4-2-3 热处理对EL2 浓度影响的机理 | 第42-44页 |
| §4-3 LEC SI-GaAs 单晶中的浅受主杂质碳 | 第44-47页 |
| 4-3-1 LEC SI -GaAs 中碳浓度的红外测量 | 第44-45页 |
| 4-3-2 碳浓度沿样品直径方向的分布规律 | 第45-47页 |
| §4-4 小结 | 第47-48页 |
| 第五章 热处理对SI-GaAs 电性能的影响 | 第48-54页 |
| §5-1 引言 | 第48页 |
| §5-2 实验过程 | 第48-49页 |
| §5-3 实验结果与讨论 | 第49-53页 |
| 5-3-1 原生样品电参数的测量 | 第49-50页 |
| 5-3-2 电参数不均匀分布的机理 | 第50-51页 |
| 5-3-3 热处理对电参数的影响 | 第51页 |
| 5-3-4 热处理影响电参数的机理 | 第51-53页 |
| §5-4 小结 | 第53-54页 |
| 第六章 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第59页 |
