| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-60页 |
| ·SiC材料的简单介绍 | 第13-26页 |
| ·SiC材料的基本性质 | 第14-15页 |
| ·SiC晶体的结构性质 | 第15-16页 |
| ·SiC的物理和化学性质 | 第16-18页 |
| ·SiC材料的制备 | 第18-20页 |
| ·SiC材料的掺杂 | 第20-21页 |
| ·SiC薄膜的生长及缺陷 | 第21-22页 |
| ·SiC的人为导电类型控制掺杂 | 第22-23页 |
| ·SiC的器件工艺及其应用 | 第23-26页 |
| ·ZnO材料概述和基本性质 | 第26-38页 |
| ·ZnO的晶体结构 | 第28-30页 |
| ·ZnO晶体的电学性质和能带结构 | 第30-32页 |
| ·ZnO的光学性质 | 第32-34页 |
| ·ZnO薄膜的生长、掺杂及研究现状 | 第34-38页 |
| ·固体中的缺陷 | 第38-40页 |
| ·缺陷分类 | 第38-39页 |
| ·缺陷的作用 | 第39-40页 |
| ·薄膜的制备技术和表征手段 | 第40-56页 |
| ·薄膜的制备技术 | 第40-48页 |
| ·分子束外延技术(MBE) | 第40-41页 |
| ·脉冲激光沉积技术(PLD) | 第41-42页 |
| ·真空溅射技术(Sputter1ng) | 第42-43页 |
| ·喷雾热分解法(SprayPyrolysis) | 第43页 |
| ·溶胶—凝胶(Sol—Gel)法 | 第43-44页 |
| ·液相外延技术 | 第44-45页 |
| ·化学气相沉积技术(Vc)D | 第45-46页 |
| ·金属有机物化学气相沉积技术 | 第46-48页 |
| ·针对薄膜样品的表征手段 | 第48-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 第二章 连通式双反应室MOCVD设备 | 第60-68页 |
| ·引言 | 第60-61页 |
| ·联通式、双反应式MOCVD系统介绍 | 第61-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-68页 |
| 第三章 MOCVD制备SiC:Al/Si薄膜的导电类型调控研究 | 第68-88页 |
| ·引言 | 第68页 |
| ·SiC/Si异质外延生长和竞位外延掺杂理论 | 第68-76页 |
| ·SiC/Si薄膜的生长简介 | 第68-69页 |
| ·Si衬底上外延SiC薄膜的动力学理论分析 | 第69-71页 |
| ·Si衬底上生长SiC薄膜的化学机理分析 | 第71-75页 |
| ·"竞位外延"掺杂理论 | 第75-76页 |
| ·样品制备 | 第76-78页 |
| ·试验结果及分析 | 第78-85页 |
| ·样品的导电类型测量结果 | 第78-80页 |
| ·样品的XPS测试结果 | 第80-81页 |
| ·样品的XRD测试结果 | 第81-82页 |
| ·样品的SEM测试结果 | 第82-83页 |
| ·样品的霍尔测试结果 | 第83-85页 |
| ·本章小结 | 第85-87页 |
| 参考文献 | 第87-88页 |
| 第四章 Sb掺杂ZnO薄膜的缺陷和光学性质研究 | 第88-101页 |
| ·引言 | 第88页 |
| ·实验设备介绍 | 第88-89页 |
| ·样品制备 | 第89-90页 |
| ·实验结果及分析 | 第90-97页 |
| ·样品的XRD测试结果 | 第90-91页 |
| ·样品的XPS测试结果 | 第91页 |
| ·样品的低温光致发光(PL)分析 | 第91-97页 |
| ·本章小结 | 第97-98页 |
| 参考文献 | 第98-101页 |
| 第五章 总结和展望 | 第101-103页 |
| 致谢 | 第103-104页 |
| 攻读博士期间发表的论文目录 | 第104-105页 |