PECVD法制备氢化非晶硅薄膜及其金属诱导晶化研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-29页 |
| ·太阳电池的发展历史及现状 | 第10-11页 |
| ·非晶硅、多晶硅薄膜材料在太阳能电池的应用 | 第11-13页 |
| ·PECVD 法制备非晶硅薄膜的生长机理 | 第13-15页 |
| ·非晶硅薄膜的掺杂机理 | 第15-16页 |
| ·非晶硅太阳能电池的相关理论 | 第16-18页 |
| ·非晶硅太阳能电池的工作原理 | 第16-17页 |
| ·非晶硅太阳电池的等效电路与结构分析 | 第17页 |
| ·太阳能电池伏安特性曲线 | 第17-18页 |
| ·多晶硅薄膜的制备方法概述 | 第18-26页 |
| ·直接制备法 | 第19-23页 |
| ·再结晶制备法 | 第23-26页 |
| ·金属诱导晶化制备多晶硅机理 | 第26-27页 |
| ·本论文的研究内容及目的 | 第27-29页 |
| 第2章 实验设计 | 第29-35页 |
| ·非晶硅薄膜的制备技术及其原理 | 第29-31页 |
| ·等离子体增强化学气相淀积基本原理 | 第29页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积系统 | 第29-31页 |
| ·金属薄膜的制备 | 第31页 |
| ·多晶硅薄膜的制备 | 第31-32页 |
| ·热处理 | 第31-32页 |
| ·外加电场装置 | 第32页 |
| ·性能表征 | 第32-35页 |
| ·X射线衍射(XRD)分析 | 第32-33页 |
| ·扫描电镜(SEM)分析 | 第33页 |
| ·薄膜厚度、透过率、反射率测试 | 第33-34页 |
| ·Raman 光谱 | 第34页 |
| ·红外光谱分析测试(IR) | 第34-35页 |
| 第3章 非晶硅薄膜的制备与光学性质研究 | 第35-41页 |
| ·沉积速率分析 | 第37-39页 |
| ·非晶硅薄膜的光学性质 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 非晶硅太阳能电池制备工艺研究 | 第41-52页 |
| ·测试与分析 | 第42-44页 |
| ·非晶硅电池 I-V 曲线测试 | 第42-43页 |
| ·本征非晶硅红外光谱分析 | 第43-44页 |
| ·非晶硅薄膜太阳能电池的相关理论分析 | 第44-51页 |
| ·光生载流子的产生与光生电流的计算 | 第44-46页 |
| ·光生载流子的复合理论与复合电流 | 第46-48页 |
| ·太阳能电池光生电流密度的计算 | 第48页 |
| ·本征层存在杂质情况下内建电场的分布 | 第48-50页 |
| ·I-V 曲线呈线性的原因分析 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第5章 氢化非晶硅金属诱导晶化实验 | 第52-73页 |
| ·横向电场强度对 Al 诱导晶化的影响 | 第52-57页 |
| ·X 射线图谱分析和讨论 | 第53-54页 |
| ·Raman 图谱分析以及薄膜表层晶化率的计算 | 第54-56页 |
| ·SEM 形貌分析 | 第56-57页 |
| ·横向电场增强铝诱导晶化非晶硅薄膜效果的机理分析 | 第57页 |
| ·结论 | 第57页 |
| ·退火时间对电场辅助 Al 诱导晶化的影响 | 第57-62页 |
| ·XRD 分析 | 第58-59页 |
| ·Raman 分析 | 第59-60页 |
| ·扫描电镜分析 | 第60-62页 |
| ·小结 | 第62页 |
| ·温度对电场辅助 Al 诱导晶化的影响 | 第62-67页 |
| ·XRD 分析 | 第63-64页 |
| ·Raman 分析 | 第64-65页 |
| ·SEM 分析 | 第65-66页 |
| ·小结 | 第66-67页 |
| ·Ag诱导晶化实验 | 第67-72页 |
| ·非晶硅薄膜样品的制备 | 第67页 |
| ·金属银膜的制备 | 第67页 |
| ·热处理 Ag/a-Si 复合薄膜的实验条件 | 第67-68页 |
| ·Raman 光谱分析 | 第68-70页 |
| ·XRD 分析 | 第70页 |
| ·扫描电镜分析 | 第70-72页 |
| ·小结 | 第72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 第6章 结论 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第81页 |
