摘要 | 第1-14页 |
ABSTRACT | 第14-18页 |
符号表 | 第18-20页 |
第一章 绪论 | 第20-38页 |
§1.1 概述 | 第20-22页 |
§1.2 SnO_2薄膜的性质 | 第22-27页 |
·结构性质 | 第22-23页 |
·光学性质 | 第23-24页 |
·电学性质 | 第24-27页 |
§1.3 SnO_2薄膜的制备方法及其应用 | 第27-31页 |
·制备方法 | 第27-29页 |
·SnO_2薄膜的应用 | 第29-31页 |
§1.4 SnO_2薄膜的研究现状 | 第31-33页 |
§1.5 选题动机 | 第33-35页 |
本章参考文献 | 第35-38页 |
第二章 实验设备和测试分析方法 | 第38-55页 |
§2.1 射频磁控溅射法 | 第38-40页 |
·溅射原理 | 第38页 |
·磁控溅射系统 | 第38-40页 |
§2.2 金属有机化学气相沉积法(MOCVD) | 第40-47页 |
·MOCVD的基本原理 | 第40页 |
·MOCVD的特点 | 第40-41页 |
·MOCVD系统 | 第41-43页 |
·本实验的MOCVD系统 | 第43-47页 |
§2.3 测试分析方法 | 第47-54页 |
·结构和成分测试分析 | 第47-50页 |
·薄膜表面形貌分析 | 第50-52页 |
·光学性质的测量 | 第52页 |
·电学性质的测量 | 第52-54页 |
本章参考文献 | 第54-55页 |
第三章 射频磁控溅射法制备Sb掺杂SnO_2薄膜的结构及光学性质 | 第55-71页 |
§3.1 薄膜的制备 | 第55-57页 |
·SnO_2:Sb_2O_3陶瓷靶的制备 | 第55页 |
·SnO_2:Sb薄膜的制备 | 第55-57页 |
§3.2 薄膜的结构性质 | 第57-66页 |
·衬底材料对薄膜结构性质的影响 | 第57-60页 |
·溅射功率对薄膜结构性质的影响 | 第60-62页 |
·退火处理对薄膜结构性质的影响 | 第62-66页 |
§3.3 薄膜的光学及光致发光性质 | 第66-70页 |
本章参考文献 | 第70-71页 |
第四章 MOCVD法制备SnO_2薄膜的研究 | 第71-93页 |
§4.1 薄膜的制备 | 第71-73页 |
·实验前的准备工作 | 第71-72页 |
·薄膜的制备工艺 | 第72-73页 |
§4.2 薄膜的结构性质 | 第73-85页 |
·衬底材料对SnO_2薄膜结构性质的影响 | 第73-76页 |
·衬底温度对SnO_2薄膜结构性质的影响 | 第76-79页 |
·600℃衬底温度下蓝宝石衬底制备SnO_2薄膜的结构分析 | 第79-85页 |
§4.3 蓝宝石衬底制备SnO_2薄膜的光学性质 | 第85-88页 |
§4.4 蓝宝石衬底制备SnO_2薄膜的光致发光性质 | 第88-90页 |
§4.5 蓝宝石衬底制备SnO_2薄膜的电学性质 | 第90-92页 |
本章参考文献 | 第92-93页 |
第五章 MOCVD法制备Sb掺杂SnO_2薄膜的研究 | 第93-107页 |
§5.1 Sb掺杂SnO_2薄膜的制备 | 第93-94页 |
§5.2 掺杂浓度对SnO_2:Sb薄膜性质的影响 | 第94-101页 |
·掺杂浓度对薄膜结构性质的影响 | 第94-97页 |
·掺杂浓度对薄膜电学性质的影响 | 第97-99页 |
·掺杂浓度对薄膜光学性质的影响 | 第99-101页 |
§5.3 退火处理对SnO_2:Sb薄膜的性质影响 | 第101-106页 |
·退火处理对薄膜结构性质的影响 | 第101-102页 |
·退火处理对薄膜电学性质的影响 | 第102-104页 |
·退火处理对薄膜光学性质的影响 | 第104-106页 |
本章参考文献 | 第106-107页 |
第六章 MOCVD法制备In掺杂SnO_2薄膜的研究 | 第107-116页 |
§6.1 SnO_2:In薄膜的制备 | 第107-108页 |
§6.2 SnO_2:In薄膜的结构性质与组分分析 | 第108-112页 |
·结构性质 | 第108-110页 |
·组分分析 | 第110-112页 |
§6.3 SnO_2:In薄膜的光学及光致发光性质 | 第112-115页 |
本章参考文献 | 第115-116页 |
第七章 结论 | 第116-118页 |
博士期间发表论文目录 | 第118-120页 |
致谢 | 第120-121页 |
Paper 1 | 第121-129页 |
Paper 2 | 第129-136页 |
学位论文评阅及答辩情况表 | 第136页 |