首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--材料论文--一般性问题论文

高质量SnO2薄膜的制备及特性研究

摘要第1-14页
ABSTRACT第14-18页
符号表第18-20页
第一章 绪论第20-38页
 §1.1 概述第20-22页
 §1.2 SnO_2薄膜的性质第22-27页
     ·结构性质第22-23页
     ·光学性质第23-24页
     ·电学性质第24-27页
 §1.3 SnO_2薄膜的制备方法及其应用第27-31页
     ·制备方法第27-29页
     ·SnO_2薄膜的应用第29-31页
 §1.4 SnO_2薄膜的研究现状第31-33页
 §1.5 选题动机第33-35页
 本章参考文献第35-38页
第二章 实验设备和测试分析方法第38-55页
 §2.1 射频磁控溅射法第38-40页
     ·溅射原理第38页
     ·磁控溅射系统第38-40页
 §2.2 金属有机化学气相沉积法(MOCVD)第40-47页
     ·MOCVD的基本原理第40页
     ·MOCVD的特点第40-41页
     ·MOCVD系统第41-43页
     ·本实验的MOCVD系统第43-47页
 §2.3 测试分析方法第47-54页
     ·结构和成分测试分析第47-50页
     ·薄膜表面形貌分析第50-52页
     ·光学性质的测量第52页
     ·电学性质的测量第52-54页
 本章参考文献第54-55页
第三章 射频磁控溅射法制备Sb掺杂SnO_2薄膜的结构及光学性质第55-71页
 §3.1 薄膜的制备第55-57页
     ·SnO_2:Sb_2O_3陶瓷靶的制备第55页
     ·SnO_2:Sb薄膜的制备第55-57页
 §3.2 薄膜的结构性质第57-66页
     ·衬底材料对薄膜结构性质的影响第57-60页
     ·溅射功率对薄膜结构性质的影响第60-62页
     ·退火处理对薄膜结构性质的影响第62-66页
 §3.3 薄膜的光学及光致发光性质第66-70页
 本章参考文献第70-71页
第四章 MOCVD法制备SnO_2薄膜的研究第71-93页
 §4.1 薄膜的制备第71-73页
     ·实验前的准备工作第71-72页
     ·薄膜的制备工艺第72-73页
 §4.2 薄膜的结构性质第73-85页
     ·衬底材料对SnO_2薄膜结构性质的影响第73-76页
     ·衬底温度对SnO_2薄膜结构性质的影响第76-79页
     ·600℃衬底温度下蓝宝石衬底制备SnO_2薄膜的结构分析第79-85页
 §4.3 蓝宝石衬底制备SnO_2薄膜的光学性质第85-88页
 §4.4 蓝宝石衬底制备SnO_2薄膜的光致发光性质第88-90页
 §4.5 蓝宝石衬底制备SnO_2薄膜的电学性质第90-92页
 本章参考文献第92-93页
第五章 MOCVD法制备Sb掺杂SnO_2薄膜的研究第93-107页
 §5.1 Sb掺杂SnO_2薄膜的制备第93-94页
 §5.2 掺杂浓度对SnO_2:Sb薄膜性质的影响第94-101页
     ·掺杂浓度对薄膜结构性质的影响第94-97页
     ·掺杂浓度对薄膜电学性质的影响第97-99页
     ·掺杂浓度对薄膜光学性质的影响第99-101页
 §5.3 退火处理对SnO_2:Sb薄膜的性质影响第101-106页
     ·退火处理对薄膜结构性质的影响第101-102页
     ·退火处理对薄膜电学性质的影响第102-104页
     ·退火处理对薄膜光学性质的影响第104-106页
 本章参考文献第106-107页
第六章 MOCVD法制备In掺杂SnO_2薄膜的研究第107-116页
 §6.1 SnO_2:In薄膜的制备第107-108页
 §6.2 SnO_2:In薄膜的结构性质与组分分析第108-112页
     ·结构性质第108-110页
     ·组分分析第110-112页
 §6.3 SnO_2:In薄膜的光学及光致发光性质第112-115页
 本章参考文献第115-116页
第七章 结论第116-118页
博士期间发表论文目录第118-120页
致谢第120-121页
Paper 1第121-129页
Paper 2第129-136页
学位论文评阅及答辩情况表第136页

论文共136页,点击 下载论文
上一篇:Cs-K离子交换结合离子注入技术制备磷酸钛氧钾晶体光波导的研究
下一篇:养老保险市场化改革:国际经验与中国政策选择