| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| ·论文研究的背景、目的和进展 | 第9-11页 |
| ·本论文的结构安排 | 第11-12页 |
| 参考文献 | 第12-13页 |
| 第二章 半导体材料外延生长的基本理论和背景知识 | 第13-24页 |
| ·表面生长中的一些概念 | 第13-18页 |
| ·表面生长的概念 | 第13-14页 |
| ·表面生长中的原子过程 | 第14-15页 |
| ·表面生长的模式 | 第15-16页 |
| ·S-K模式的生长机理 | 第16-18页 |
| ·表面扩散和成核理论 | 第18-21页 |
| ·半导体材料外延生长的生产和实验方法简介 | 第21-23页 |
| ·外延生长工艺 | 第21-22页 |
| ·实验检测技术 | 第22-23页 |
| 参考文献 | 第23-24页 |
| 第三章 半导体材料外延生长模型和仿真方法 | 第24-35页 |
| ·模拟原理与方法简介 | 第24-26页 |
| ·分子动力学模型 | 第24-25页 |
| ·蒙特卡罗法模型 | 第25页 |
| ·量子力学模型 | 第25-26页 |
| ·蒙特卡罗仿真 | 第26-30页 |
| ·蒙特卡罗方法介绍 | 第26-27页 |
| ·动力学蒙特卡罗 | 第27-29页 |
| ·动力学蒙特卡罗中的时间问题 | 第29-30页 |
| ·KMC模拟中涉及到的物理模型和周期性边界条件 | 第30-34页 |
| ·solid-on-solid(SOS)模型 | 第30-31页 |
| ·完全扩散模型 | 第31-33页 |
| ·周期性边界条件 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-35页 |
| 第四章 KMC模拟GaAs图形衬底上InAs量子点生长 | 第35-53页 |
| ·研究的意义 | 第35-36页 |
| ·二维生长模型 | 第36-37页 |
| ·温度对生长的影响 | 第37-42页 |
| ·生长停顿对生长的影响 | 第42-47页 |
| ·沉积速率对生长的影响 | 第47-51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 第五章 半导体材料外延生长的三维KMC模拟 | 第53-57页 |
| ·三维生长模型 | 第53-55页 |
| ·对薄膜生长的模拟 | 第55-56页 |
| ·对量子点生长的模拟 | 第56页 |
| 参考文献 | 第56-57页 |
| 第六章 后续工作及展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 攻读硕士学位期间的论文 | 第60页 |