| 中文摘要 | 第1-8页 |
| 英文摘要 | 第8-10页 |
| 第一章 SiC材料综述 | 第10-34页 |
| ·SiC的结构和多型性 | 第10-12页 |
| ·SiC的特性 | 第12-14页 |
| ·SiC材料的制备 | 第14-26页 |
| ·SiC体单晶的生长 | 第14-18页 |
| ·SiC外延薄膜生长 | 第18-25页 |
| ·纳米SiC | 第25-26页 |
| ·SiC器件及其应用 | 第26-34页 |
| ·SiC分立器件的研究现状 | 第27-30页 |
| ·SiC集成电路的研究现状 | 第30-31页 |
| ·SiC器件的应用现状 | 第31-34页 |
| 第二章 PS/Si叠层热解反应法制备SiC薄膜及其结构和物性的研究 | 第34-50页 |
| ·薄膜制备的工艺流程 | 第35页 |
| ·样品表征 | 第35-36页 |
| ·结果和讨论 | 第36-49页 |
| ·薄膜制备优化工艺条件 | 第36页 |
| ·PS/Si叠层热解反应法生长的薄膜的微结构 | 第36-42页 |
| ·PS/Si叠层热解反应法生长SiC薄膜的动力学 | 第42-44页 |
| ·SiC薄膜上的SiO_2 | 第44-47页 |
| ·SiC薄膜层错空洞缺陷的抑制 | 第47-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| 第三章 PS/OCS/Si叠层热解反应法制备SiC薄膜 | 第50-58页 |
| ·样品制备和表征 | 第50-51页 |
| ·结果与分析 | 第51-56页 |
| ·真空热处理的样品 | 第51-54页 |
| ·Ar气氛中热处理样品 | 第54-56页 |
| ·压力和杂质对SiC薄膜的影响 | 第56页 |
| ·抑制空洞缺陷的机理 | 第56页 |
| ·小结 | 第56-58页 |
| 第四章 二氧化硅体系中的光学活性缺陷 | 第58-75页 |
| ·研究二氧化硅中光学活性缺陷的一般方法 | 第58-59页 |
| ·无序对缺陷性质的影响 | 第59-60页 |
| ·非均匀宽化效应 | 第59页 |
| ·交互相关效应 | 第59-60页 |
| ·二氧化硅中几种常见缺陷 | 第60-75页 |
| ·E′中心 | 第61-65页 |
| ·ODC(Ⅰ) | 第65-67页 |
| ·ODC(Ⅱ) | 第67-73页 |
| ·NBOHC | 第73-75页 |
| 第五章 SiO_2线的生长及强蓝色PL的发光中心研究 | 第75-89页 |
| ·样品的制备 | 第75-76页 |
| ·样品的表征和分析 | 第76-79页 |
| ·SiO_2线的生长机制 | 第79-80页 |
| ·SiO_2线的强蓝光发射及其发光机制 | 第80-88页 |
| ·SiO_2线的光致发光的实验结果 | 第80-83页 |
| ·SiO_2线的蓝色发光的机制研究 | 第83-88页 |
| ·小结 | 第88-89页 |
| 第六章 SiC薄膜的蓝色发光的机制研究 | 第89-95页 |
| ·样品处理及其表征 | 第89-90页 |
| ·实验结果和基本分析 | 第90-91页 |
| ·NITs的概述 | 第91-93页 |
| ·实验结果与NITs的性质的对比 | 第93-94页 |
| ·小结 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-108页 |
| 结论 | 第108-110页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文和获奖情况 | 第110-111页 |
| 致谢 | 第111页 |
