| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-29页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·ZNO 的基本性质 | 第11-14页 |
| ·ZNO 薄膜的制备方法 | 第14-18页 |
| ·磁控溅射法（Magnetron Sputtering） | 第14-15页 |
| ·金属有机物化学气相沉积（MOCVD） | 第15-16页 |
| ·脉冲激光沉积（PLD） | 第16-17页 |
| ·分子束外延（MBE） | 第17页 |
| ·喷雾热分解（Spray Pyrolysis） | 第17-18页 |
| ·溶胶-凝胶法（sol-gel） | 第18页 |
| ·ZNO 薄膜的应用 | 第18-23页 |
| ·ZnO 薄膜在光电器件方面的应用 | 第19-21页 |
| ·ZnO 薄膜在声表面波器件方面的应用 | 第21-22页 |
| ·ZnO 薄膜在太阳能电池方面的应用 | 第22页 |
| ·ZnO 薄膜在气敏元件方面的应用 | 第22页 |
| ·ZnO 薄膜与GaN 互作缓冲层 | 第22-23页 |
| ·本文研究的目的和主要内容 | 第23-25页 |
| 参考文献 | 第25-29页 |
| 第二章 实验装置与实验方法 | 第29-41页 |
| ·射频磁控溅射原理 | 第29-31页 |
| ·ZNO 的射频反应磁控溅射制备原理 | 第31-32页 |
| ·影响磁控溅射沉积ZNO 薄膜质量的主要因素 | 第32-34页 |
| ·射频磁控溅射装置 | 第34-35页 |
| ·实验材料 | 第35-36页 |
| ·薄膜样品的制备 | 第36页 |
| ·薄膜样品的热处理 | 第36-37页 |
| ·结构与性能分析方法 | 第37-40页 |
| 参考文献 | 第40-41页 |
| 第三章 磁控溅射ZNO 薄膜的择优取向生长 | 第41-51页 |
| ·薄膜生长基础理论 | 第41-44页 |
| ·不同衬底生长的ZNO 薄膜的择优取向 | 第44-47页 |
| ·ZNO 薄膜择优取向的生长机理 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-51页 |
| 第四章 磁控溅射制备ZNO 薄膜及其性能研究 | 第51-72页 |
| ·制备工艺对ZNO 薄膜性能的影响 | 第52-62页 |
| ·溅射功率对ZnO 薄膜性能的影响 | 第52-54页 |
| ·不同氩氧比对ZnO 薄膜性能的影响 | 第54-62页 |
| ·退火温度对ZNO 薄膜性能的影响 | 第62-68页 |
| ·退火温度对ZnO 薄膜结构的影响 | 第63-65页 |
| ·退火温度对ZnO 薄膜表面形貌的影响 | 第65-67页 |
| ·退火温度对ZnO 薄膜光学性能的影响 | 第67-68页 |
| ·退火温度对ZnO 薄膜电学性能的影响 | 第68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-72页 |
| 第五章N-ZNO/P-SI 异质结的制备及性能研究 | 第72-90页 |
| ·引言 | 第72-73页 |
| ·异质结简介 | 第73-74页 |
| ·N-ZNO/P-SI 异质结的能带结构 | 第74-75页 |
| ·N-ZNO/P-SI 异质结的制备和表征 | 第75-78页 |
| ·结果与讨论 | 第78-87页 |
| ·Al 掺杂的ZnO 薄膜性能 | 第78-81页 |
| ·ZnO 异质结的电学性能 | 第81-87页 |
| ·本章小结 | 第87-88页 |
| 参考文献 | 第88-90页 |
| 第六章 结论 | 第90-92页 |
| ·总结 | 第90-91页 |
| ·展望 | 第91-92页 |
| 作者攻读硕士学位期间发表论文 | 第92-93页 |
| 致谢 | 第93页 |