| 摘要 | 第1-11页 |
| Abstract | 第11-14页 |
| 第一章 分子束外延 | 第14-28页 |
| 第一节 引言 | 第14-15页 |
| 第二节 分子束外延设备概述 | 第15-17页 |
| 第三节 固态源Ⅲ-Ⅴ族分子束外延材料生长机理 | 第17-19页 |
| 第四节 分子束外延几个关键技术 | 第19-25页 |
| ·真空 | 第19-20页 |
| ·MBE诊断和分析 | 第20-24页 |
| ·反射式高能电子衍射仪(RHEED) | 第20-23页 |
| ·四极质谱仪(QMS) | 第23-24页 |
| ·产业化 | 第24-25页 |
| 第五节 本文的主要研究内容及创新点 | 第25-27页 |
| 参考文献 | 第27-28页 |
| 第二章 在GaAs衬底上生长InSb量子点 | 第28-35页 |
| 第一节 引言 | 第28-29页 |
| 第二节 量子点自组织生长的基本原理 | 第29页 |
| 第三节 材料结构和生长条件 | 第29-30页 |
| 第四节 实验结果和讨论 | 第30-34页 |
| 第五节 结论 | 第34页 |
| 参考文献 | 第34-35页 |
| 第三章 半导体自旋电子学的研究与应用进展 | 第35-46页 |
| 第一节 引言 | 第35-36页 |
| 第二节 磁性半导体 | 第36-38页 |
| 第三节 自旋的注入和检测 | 第38-40页 |
| ·欧姆式自旋注入 | 第38页 |
| ·隧道结自旋注入 | 第38-39页 |
| ·热电子自旋注入 | 第39页 |
| ·自旋的检测 | 第39-40页 |
| 第四节 自旋的输运 | 第40-41页 |
| 第五节 半导体电子自旋的控制和操纵 | 第41-42页 |
| 第六节 结束语 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-46页 |
| 第四章 在GaAs(110)衬底上生长GaAs和Al_(0.4)Ga_(0.6)As外延层 | 第46-70页 |
| 第一节 引言 | 第46页 |
| 第二节 在GaAs(110)衬底上生长GaAs同质外延层 | 第46-49页 |
| 第三节 在GaAs(110)衬底上生长Al_(0.4)Ga_(0.6)As外延层 | 第49-63页 |
| ·材料生长 | 第49-50页 |
| ·实验结果和讨论 | 第50-63页 |
| ·外延层的表面形貌 | 第50-58页 |
| ·外延层的光谱和x射线分析 | 第58-63页 |
| 第四节 本章小结 | 第63-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 第五章 AlGaAs/GaAs(110)量子阱的生长和量子阱内电子的自旋驰豫 | 第70-104页 |
| 第一节 引言 | 第70页 |
| 第二节 RHEED振荡与材料生长 | 第70-79页 |
| ·RHEED振荡 | 第70-71页 |
| ·材料结构和生长条件 | 第71-73页 |
| ·RHEED振荡曲线 | 第73-74页 |
| ·TEM、低温PL谱和室温PL谱分析 | 第74-77页 |
| ·生长温度对自旋驰豫时间的影响 | 第77-79页 |
| 第三节 界面生长中断对量子阱自旋寿命的影响 | 第79-84页 |
| ·材料结构和生长条件 | 第79-80页 |
| ·界面中断 | 第80-84页 |
| 第四节 As_2和As_4生长模式下生长量子阱的比较 | 第84-86页 |
| 第五节 生长条件对量子阱内电子自旋驰豫时间的影响 | 第86-94页 |
| ·样品结构和实验过程 | 第86-88页 |
| ·实验测试结果和讨论 | 第88-94页 |
| 第六节 时间分辨光致荧光光谱和时间分辨克尔旋转谱的比较 | 第94-99页 |
| ·样品结构和实验过程 | 第94-95页 |
| ·实验测试结果和讨论 | 第95-99页 |
| 第七节 本章小结 | 第99-101页 |
| 参考文献 | 第101-104页 |
| 第六章 退火和变激发条件对量子阱内电子自旋寿命的影响 | 第104-118页 |
| 第一节 退火对量子阱内电子自旋寿命的影响 | 第104-108页 |
| ·样品结构和实验过程 | 第104页 |
| ·实验结果 | 第104-108页 |
| 第二节 变激发条件对量子阱内电子自旋寿命的影响 | 第108-114页 |
| ·材料结构和生长条件 | 第108-110页 |
| ·实验结果和讨论 | 第110-114页 |
| 第三节 本章小结 | 第114-116页 |
| 参考文献 | 第116-118页 |
| 第七章 室温下自旋霍尔逆效应的实验观测及相应自旋器件工艺 | 第118-133页 |
| 第一节 引言 | 第118-120页 |
| 第二节 室温下自旋霍尔逆效应的实验观测 | 第120-129页 |
| ·样品结构和生长条件 | 第120-121页 |
| ·器件的工艺制作过程 | 第121-125页 |
| ·室温下自旋霍尔逆效应的实验观测 | 第125-129页 |
| 第三节 剥离衬底工艺 | 第129-131页 |
| 第四节 本章小结 | 第131-132页 |
| 参考文献 | 第132-133页 |
| 第八章 结论 | 第133-137页 |
| 攻读博士学位期间已经发表和待发表的文章及申请的专利 | 第137-138页 |
| 致谢 | 第138页 |
