| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| ·论文的研究背景和意义 | 第10-13页 |
| ·论文研究内容 | 第13-14页 |
| 参考文献 | 第14-15页 |
| 第二章 晶片键合技术 | 第15-27页 |
| ·键合的基本原理 | 第15-17页 |
| ·键合的界面特性 | 第17-21页 |
| ·键合强度 | 第17-19页 |
| ·界面层与空洞 | 第19页 |
| ·界面位错 | 第19-21页 |
| ·键合的应用与研究现状 | 第21-25页 |
| 参考文献 | 第25-27页 |
| 第三章 Si/InP晶片低温键合的理论分析 | 第27-47页 |
| ·Si/InP异质结的电流电压特性 | 第27-33页 |
| ·n-Si/n-InP同型异质结的能带 | 第27-28页 |
| ·n-Si/n-InP异质结势垒高度的修正 | 第28-30页 |
| ·Si/InP键合异质结的I/V特性 | 第30-33页 |
| ·键合界面的热应力分析 | 第33-38页 |
| ·理论分析模型 | 第33-36页 |
| ·结构力学分析结果 | 第36-37页 |
| ·减少热应力的途径 | 第37-38页 |
| ·外压力对晶片键合的影响 | 第38-45页 |
| ·理论模型 | 第39-42页 |
| ·数值结果及分析 | 第42-45页 |
| 参考文献 | 第45-47页 |
| 第四章 Si/InP晶片低温键合的实验研究 | 第47-63页 |
| ·键合夹具的研制 | 第47-52页 |
| ·低温键合的工艺探索 | 第52-56页 |
| ·晶片的表面处理 | 第52-55页 |
| ·晶片预键合 | 第55页 |
| ·晶片退火处理 | 第55-56页 |
| ·Si/InP键合工艺: | 第56页 |
| ·键合晶片I/V特性的实验研究 | 第56-62页 |
| ·n-Si/n-Si和n-InP/n-InP的I/V曲线 | 第57-58页 |
| ·n-Si/n-InP的I/V曲线 | 第58-60页 |
| ·n-GaAs/n-InP的I/V曲线 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |