提要 | 第1-8页 |
第一章绪论 | 第8-29页 |
·ZnO 材料结构与基本特性 | 第9-12页 |
·ZnO 薄膜发光特性研究进展 | 第12-14页 |
·ZnO 薄膜掺杂及ZnO 器件研究进展 | 第14-24页 |
·n 型掺杂的ZnO 材料 | 第14-15页 |
·p 型掺杂的ZnO 材料 | 第15-19页 |
·ZnO 基三元材料的研究 | 第19-21页 |
·关于ZnO 器件的研究 | 第21-24页 |
·ZnO 材料的应用 | 第24-27页 |
·本论文的主要研究内容 | 第27-29页 |
第二章ZnO 材料的制备方法与相关测试方法 | 第29-46页 |
·ZnO 材料的制备方法 | 第29-35页 |
·磁控溅射法制备ZnO 薄膜 | 第29-33页 |
·溶胶凝胶(sol-gel)法制备纳米ZnO 粉体 | 第33-35页 |
·薄膜材料与纳米材料的表征方法 | 第35-46页 |
·霍尔效应原理及应用 | 第36-38页 |
·X 射线衍射方法(XRD)测量晶体结构 | 第38-40页 |
·光致发光谱(PL)的测量 | 第40-42页 |
·X 射线光电子能谱(XPS) | 第42-43页 |
·透射-反射谱(Transmission and reflection spectra) | 第43-44页 |
·其他测试方法 | 第44-46页 |
第三章Ar 气氛下磁控溅射制备AZO 透明导电薄膜及发光器件 | 第46-72页 |
·AZO 透明导电薄膜生长机理 | 第46-49页 |
·AZO 透明导电薄膜特性随衬底温度变化研究 | 第49-56页 |
·AZO 透明导电薄膜制备 | 第49-50页 |
·AZO 薄膜的XRD 测试分析 | 第50-52页 |
·AZO 薄膜的霍尔测试 | 第52-55页 |
·AZO 薄膜的透射谱 | 第55-56页 |
·AZO 透明导电薄膜特性随工作气压变化的研究 | 第56-60页 |
·AZO 薄膜的XRD 测试 | 第56-58页 |
·电学特性分析 | 第58-59页 |
·透射谱测试 | 第59-60页 |
·AZO 异质结发光器件的制备及表征 | 第60-70页 |
·器件的制作过程 | 第62页 |
·器件的XRD 测试 | 第62-64页 |
·光学特性分析 | 第64-65页 |
·AZO/n-GaAS 器件与AZO/p-Si 器件的电致发光 | 第65-67页 |
·AZO/p-Si 器件光电特性 | 第67-70页 |
·本章小结 | 第70-72页 |
第四章磁控溅射法在背景Ar 气中掺H_2制备AZO 薄膜 | 第72-98页 |
·AZO 薄膜特性随掺H2量变化研究 | 第74-82页 |
·样品的制备及表征的手段 | 第74页 |
·XRD 测试及SEM 表征 | 第74-79页 |
·电学特性及化学成分测量 | 第79-81页 |
·透射谱 | 第81-82页 |
·背景Ar 气中掺H_2 制备的AZO 薄膜特性随衬底温度变化研究 | 第82-89页 |
·X 射线衍射、扫描电镜测试 | 第82-86页 |
·电学性质变化 | 第86-88页 |
·光学性质 | 第88-89页 |
·低温H_2掺杂制备AZO 薄膜及特性研究 | 第89-96页 |
·AZO 薄膜样品制备过程 | 第89页 |
·AZO 薄膜的XRD 及SEM 测量 | 第89-92页 |
·透射及电学特性分析 | 第92-93页 |
·XPS 光电子能谱分析 | 第93-96页 |
·本章小结 | 第96-98页 |
第五章ZnO 粉体的制作及气敏特性的研究 | 第98-124页 |
·ZnO 半导体气体传感器的敏感机理 | 第99-105页 |
·气体传感器简介 | 第99-102页 |
·ZnO 表面电导型气敏元件的工作原理 | 第102-105页 |
·ZnO 气敏材料的制备及表征 | 第105-112页 |
·纳米ZnO 制备方法概述 | 第105-108页 |
·纳米ZnO 粉体材料的制备及表征 | 第108-112页 |
·ZnO 气敏元件的制备及其气敏性能研究 | 第112-122页 |
·气敏元件的制作工艺 | 第112-114页 |
·纯ZnO 元件气敏特性的测试与分析 | 第114-121页 |
·以TiO_2材料为掺杂剂元件的研制 | 第121-122页 |
·本章小结 | 第122-124页 |
结论 | 第124-126页 |
参考文献 | 第126-137页 |
攻读博士学位期间发表学术论文情况 | 第137-138页 |
致谢 | 第138-140页 |
摘要 | 第140-142页 |
Abstract | 第142-144页 |