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ZnO:Al透明导电薄膜与ZnO器件的制备及性质的研究

提要第1-8页
第一章绪论第8-29页
   ·ZnO 材料结构与基本特性第9-12页
   ·ZnO 薄膜发光特性研究进展第12-14页
   ·ZnO 薄膜掺杂及ZnO 器件研究进展第14-24页
     ·n 型掺杂的ZnO 材料第14-15页
     ·p 型掺杂的ZnO 材料第15-19页
     ·ZnO 基三元材料的研究第19-21页
     ·关于ZnO 器件的研究第21-24页
   ·ZnO 材料的应用第24-27页
   ·本论文的主要研究内容第27-29页
第二章ZnO 材料的制备方法与相关测试方法第29-46页
   ·ZnO 材料的制备方法第29-35页
     ·磁控溅射法制备ZnO 薄膜第29-33页
     ·溶胶凝胶(sol-gel)法制备纳米ZnO 粉体第33-35页
   ·薄膜材料与纳米材料的表征方法第35-46页
     ·霍尔效应原理及应用第36-38页
     ·X 射线衍射方法(XRD)测量晶体结构第38-40页
     ·光致发光谱(PL)的测量第40-42页
     ·X 射线光电子能谱(XPS)第42-43页
     ·透射-反射谱(Transmission and reflection spectra)第43-44页
     ·其他测试方法第44-46页
第三章Ar 气氛下磁控溅射制备AZO 透明导电薄膜及发光器件第46-72页
   ·AZO 透明导电薄膜生长机理第46-49页
   ·AZO 透明导电薄膜特性随衬底温度变化研究第49-56页
     ·AZO 透明导电薄膜制备第49-50页
     ·AZO 薄膜的XRD 测试分析第50-52页
     ·AZO 薄膜的霍尔测试第52-55页
     ·AZO 薄膜的透射谱第55-56页
   ·AZO 透明导电薄膜特性随工作气压变化的研究第56-60页
     ·AZO 薄膜的XRD 测试第56-58页
     ·电学特性分析第58-59页
     ·透射谱测试第59-60页
   ·AZO 异质结发光器件的制备及表征第60-70页
     ·器件的制作过程第62页
     ·器件的XRD 测试第62-64页
     ·光学特性分析第64-65页
     ·AZO/n-GaAS 器件与AZO/p-Si 器件的电致发光第65-67页
     ·AZO/p-Si 器件光电特性第67-70页
   ·本章小结第70-72页
第四章磁控溅射法在背景Ar 气中掺H_2制备AZO 薄膜第72-98页
   ·AZO 薄膜特性随掺H2量变化研究第74-82页
     ·样品的制备及表征的手段第74页
     ·XRD 测试及SEM 表征第74-79页
     ·电学特性及化学成分测量第79-81页
     ·透射谱第81-82页
   ·背景Ar 气中掺H_2 制备的AZO 薄膜特性随衬底温度变化研究第82-89页
     ·X 射线衍射、扫描电镜测试第82-86页
     ·电学性质变化第86-88页
     ·光学性质第88-89页
   ·低温H_2掺杂制备AZO 薄膜及特性研究第89-96页
     ·AZO 薄膜样品制备过程第89页
     ·AZO 薄膜的XRD 及SEM 测量第89-92页
     ·透射及电学特性分析第92-93页
     ·XPS 光电子能谱分析第93-96页
   ·本章小结第96-98页
第五章ZnO 粉体的制作及气敏特性的研究第98-124页
   ·ZnO 半导体气体传感器的敏感机理第99-105页
     ·气体传感器简介第99-102页
     ·ZnO 表面电导型气敏元件的工作原理第102-105页
   ·ZnO 气敏材料的制备及表征第105-112页
     ·纳米ZnO 制备方法概述第105-108页
     ·纳米ZnO 粉体材料的制备及表征第108-112页
   ·ZnO 气敏元件的制备及其气敏性能研究第112-122页
     ·气敏元件的制作工艺第112-114页
     ·纯ZnO 元件气敏特性的测试与分析第114-121页
     ·以TiO_2材料为掺杂剂元件的研制第121-122页
   ·本章小结第122-124页
结论第124-126页
参考文献第126-137页
攻读博士学位期间发表学术论文情况第137-138页
致谢第138-140页
摘要第140-142页
Abstract第142-144页

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