| 中文摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·主流的低温多晶硅的制备技术概述 | 第7页 |
| ·研究 HC 应力下 MILC TFT 漏电(关态电流)的意义 | 第7-8页 |
| ·国内外研究动态 | 第8-9页 |
| 参考文献 | 第9-11页 |
| 第二章 热载流子效应与 POLY-SI TFT 漏电概述 | 第11-24页 |
| ·热载流子效应及其影响因素 | 第11-15页 |
| ·抑制热载流子效应方法简介 | 第15-17页 |
| ·MILC TFT 漏电 | 第17-18页 |
| ·POLY-SI TFT 漏电模型 | 第18-22页 |
| 参考文献 | 第22-24页 |
| 第三章 器件制备工艺及实验研究方法 | 第24-31页 |
| ·器件制备工艺 | 第24-25页 |
| ·器件工艺步骤 | 第25-27页 |
| ·实验研究方法 | 第27-30页 |
| 参考文献 | 第30-31页 |
| 第四章 HC 应力下 MILC N 型 TFT 场助产生机制漏电研究 | 第31-49页 |
| ·HC 应力下 N 型 TFT 场助产生机制漏电的特性研究 | 第31-40页 |
| ·HC 应力下 N 型 TFT 场助产生机制漏电的模型研究 | 第40-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |
| 第五章 HC 应力下MILC N 型TFT 热产生机制漏电研究 | 第49-65页 |
| ·HC 应力下 N 型 TFT 热产生机制漏电的特性研究 | 第49-59页 |
| ·HC 应力下 N 型 TFT 热产生机制漏电的模型研究 | 第59-62页 |
| ·本章小结 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-65页 |
| 第六章 HC 应力下MILC N 型TFT 漏电量化统一模型 | 第65-67页 |
| ·HC 应力下 TFT 漏电量化统一模型 | 第65-66页 |
| ·HC 应力对 TFT 漏电量化统一模型的影响 | 第66页 |
| 参考文献 | 第66-67页 |
| 第七章 结论与创新 | 第67-73页 |
| ·本文主要研究结论 | 第67-71页 |
| ·本文主要创新之处和意义 | 第71-73页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 详细摘要 | 第75-77页 |
