| 提要 | 第1-7页 |
| 第一章 前言 | 第7-24页 |
| ·氧化锌材料的研究历史 | 第7-8页 |
| ·氧化锌材料的研究现状 | 第8-11页 |
| ·氧化锌材料的性质 | 第11-12页 |
| ·氧化锌材料的生长方法 | 第12-14页 |
| ·氧化锌材料的应用 | 第14-20页 |
| 1、ZnO 薄膜中可能存在的深能级 | 第15-16页 |
| 2、ZnO 薄膜的辐射复合发光 | 第16-20页 |
| ·本论文的主要工作 | 第20-21页 |
| 本章参考文献 | 第21-24页 |
| 第二章 生长ZnO 的MOCVD 反应系统和样品的表征 | 第24-33页 |
| ·MOCVD 技术简介 | 第24-29页 |
| ·MOCVD 生长ZnO 薄膜源材料的选择 | 第26-27页 |
| ·生长ZnO 薄膜的等离子体增强MOCVD 系统的设计 | 第27-29页 |
| ·样品的表征 | 第29-32页 |
| 本章参考文献 | 第32-33页 |
| 第三章 As 掺杂P 型ZnO 薄膜的研究 | 第33-49页 |
| ·杂质扩散理论 | 第33-35页 |
| 一、原子扩散机理 | 第33-34页 |
| 二、扩散的表象学描述 | 第34-35页 |
| ·As 在ZnO 薄膜中的状态 | 第35-40页 |
| ·溅射衬底上生长P 型ZnO 薄膜 | 第40-46页 |
| 一、实验设计 | 第41页 |
| 二、实验操作 | 第41-42页 |
| 1. 衬底的制备 | 第41页 |
| 2. ZnO 薄膜的生长 | 第41-42页 |
| 三、结果分析 | 第42-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 本章参考文献 | 第48-49页 |
| 第四章 基于ZnO 材料的器件的光电特性的研究 | 第49-58页 |
| ·基于ZnO 薄膜的器件结构 | 第49-50页 |
| ·Au/Zn 电极的欧姆接触特性 | 第50-51页 |
| ·ZnO/GaAs 异质结电致发光分析 | 第51-56页 |
| ①器件的制备 | 第52-53页 |
| ②I-V 曲线分析 | 第53-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 本章参考文献 | 第57-58页 |
| 结论 | 第58-59页 |
| 摘要 | 第59-62页 |
| Abstract | 第62-65页 |
| 致谢 | 第65页 |