| 提要 | 第1-8页 |
| 第一章 前言 | 第8-36页 |
| ·ZnO薄膜的研究进展 | 第8-19页 |
| ·ZnO材料的基本特性 | 第19-23页 |
| ·ZnO薄膜的用途 | 第23-26页 |
| ·ZnO薄膜的生长方法 | 第26-35页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第35-36页 |
| 第二章 生长ZnO薄膜的MOCVD系统及薄膜表征方法 | 第36-51页 |
| ·生长ZnO薄膜的MOCVD系统 | 第36-41页 |
| ·ZnO薄膜MOCVD生长用源材料 | 第36-38页 |
| ·用于ZnO生长的等离子增强MOCVD反应系统 | 第38-41页 |
| ·ZnO薄膜的表征方法 | 第41-51页 |
| ·X射线衍射仪[105-108] | 第41-44页 |
| ·扫描电子显微镜[113] | 第44-45页 |
| ·原子力显微镜的基本原理 | 第45-47页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS)[114] | 第47-49页 |
| ·光致发光测试（PL谱）[115] | 第49-51页 |
| 第三章 在Si衬底上生长ZnO薄膜及其性质 | 第51-78页 |
| ·薄膜生长的基础理论[116,117] | 第52-54页 |
| ·薄膜的生长模式 | 第52-54页 |
| ·薄膜生长的几个阶段 | 第54页 |
| ·Si衬底上ZnO薄膜的生长和性质 | 第54-74页 |
| ·ZnO薄膜的MOCVD生长步骤 | 第55页 |
| ·生长温度对薄膜质量的影响 | 第55-64页 |
| ·生长温度对结构特性的影响 | 第56-58页 |
| ·生长温度对表面形貌的影响 | 第58-61页 |
| ·生长温度对光学特性的影响 | 第61-64页 |
| ·氧气流量对ZnO薄膜质量的影响 | 第64-69页 |
| ·氧气流量对结构特性的影响 | 第65-66页 |
| ·氧气流量对表面形貌的影响 | 第66-68页 |
| ·氧气流量对光学特性的影响 | 第68-69页 |
| ·氮气流量对ZnO薄膜质量的影响 | 第69-74页 |
| ·对晶体结构的影响 | 第70-71页 |
| ·对表面形貌的影响 | 第71-73页 |
| ·对光学特性的影响 | 第73-74页 |
| ·低温光致发光的研究 | 第74-77页 |
| 本章小结 | 第77-78页 |
| 第四章 ZnO:P/n-Si异质结特性及其发光器件 | 第78-101页 |
| ·ZnO晶体的缺陷和p-ZnO的研究 | 第78-80页 |
| ·ZnO晶体的缺陷 | 第78-79页 |
| ·制备p-ZnO薄膜的几种主要方法 | 第79-80页 |
| ·ZnO薄膜在n-Si上的生长 | 第80-86页 |
| ·(001)n-Si衬底上ZnO薄膜特性研究 | 第81-83页 |
| ·X射线光电子能谱对ZnO薄膜元素的研究 | 第83-86页 |
| ·ZnO/n-Si整流器件的制备 | 第86-88页 |
| ·电致发光器件的制备 | 第88-92页 |
| ·在掺杂不同元素的n-Si衬底上电致发光器件的制备 | 第92-100页 |
| 本章小结 | 第100-101页 |
| 第五章 在n-InP衬底上制备ZnO发光器件 | 第101-109页 |
| ·在S掺杂的n-InP衬底上生长ZnO | 第102-104页 |
| ·在S掺杂的n-InP衬底上制备发光器件 | 第104-105页 |
| ·在Sn掺杂的n-InP衬底上生长ZnO | 第105-106页 |
| ·在Sn掺杂的n-InP衬底上制备发光器件 | 第106-108页 |
| 本章小结 | 第108-109页 |
| 结论 | 第109-111页 |
| 参考文献 | 第111-125页 |
| 博士期间发表的论文 | 第125-128页 |
| 中文摘要 | 第128-131页 |
| Abstract | 第131-134页 |
| 致谢 | 第134-135页 |
